[实用新型]集低能型和高能型为一体的γ辐射电离室探测装置有效
申请号: | 201822234042.8 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN209373134U | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | 花锋;冯东山;李明旭;李鹏;黄浩坤;毕仙鹏 | 申请(专利权)人: | 西安中核核仪器有限公司 |
主分类号: | G01T1/185 | 分类号: | G01T1/185 |
代理公司: | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人: | 谭文琰 |
地址: | 710061 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路 电离室探测器 测量 射线 电离室探测装置 控制器 高能型 剂量率 电路输出信号 高压供电电源 本实用新型 电压跟随器 精密放大器 驱动 电压转换 镀铝薄膜 高压电源 驱动电路 输出信号 辐射 电离室 敞口 采集 封闭 转换 | ||
本实用新型公开了一种集低能型和高能型为一体的γ辐射电离室探测装置,包括电离室探测器、为电离室探测器提供高压电源的高压供电电源、对电离室探测器输出信号进行电压转换的静电计电路和驱动静电计电路并采集静电计电路输出信号的控制器,控制器通过静电计驱动电路驱动静电计电路,静电计电路包括电流精密放大器LMP7721和电压跟随器。本发明利用敞口且设置镀铝薄膜环的外电离室筒测量低能段γ射线,同时利用封闭的内电离室筒测量高能段γ射线,功能完备,且通过静电计电路对γ射线剂量率进行转换测量,实现高低剂量率的测量。
技术领域
本发明属于γ辐射探测技术领域,具体涉及一种集低能型和高能型为一体的γ辐射电离室探测装置。
背景技术
目前国内外军用核辐射探测仪器中多使用的探测器为盖革-弥勒计数管或电离室探测器,GM管类区域γ监测设备因其灵敏度高、脉冲幅度大、使用方便、价格低廉,被用于核电站、核设施等的工作场所和设备间γ剂量率的监测。但是,在石油、化工、制药、纺织、军事等行业往往易发生轰燃或存在可燃性气体燃烧等事故,易对GM管类区域γ监测设备造成毁坏,无法实现区域γ辐射探测;电离室探测器稳定性好,可适用于恶劣环境中的γ监测,但是现有的γ辐射电离室探测的γ射线能量范围多在60keV~3MeV,没有能量响应在60keV以下的γ辐射电离室探测器,更缺乏针对低能区域γ辐射探测,无法探测出低能外场区域γ辐射的外场强度,进而无法对人体处于低能外场区域时,γ辐射对人体造成伤害提供依据。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足,提供一种集低能型和高能型为一体的γ辐射电离室探测装置,其设计新颖合理,利用敞口且设置镀铝薄膜环的外电离室筒测量低能段γ射线,同时利用封闭的内电离室筒测量高能段γ射线,功能完备,且通过静电计电路对γ射线剂量率进行转换测量,实现高低剂量率的测量,便于推广使用。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:集低能型和高能型为一体的γ辐射电离室探测装置,其特征在于:包括电离室探测器、为电离室探测器提供高压电源的高压供电电源、对电离室探测器输出信号进行电压转换的静电计电路和驱动静电计电路并采集静电计电路输出信号的控制器,控制器通过静电计驱动电路驱动静电计电路;所述电离室探测器包括底板以及同轴且内外嵌套安装在所述底板上的内电离室筒和外电离室筒,外电离室筒远离所述底板的一端设置有用于测量低能段γ射线的镀铝薄膜环,外电离室筒的内壁上涂抹有外电离室筒内壁导电层,内电离室筒远离所述底板的一端通过内电离室盖密封,内电离室筒的内壁上涂抹有内电离室筒内壁导电层,内电离室筒的外壁上涂抹有内电离室筒外壁导电层,所述底板位于内电离室筒内的区域中心位置处安装有伸出内电离室筒的内电离室集电极接头,内电离室集电极接头位于内电离室筒内的一端安装有内电离室集电极,所述底板位于内电离室筒内的区域上安装有与内电离室筒内壁导电层连通的内电离室高压极,所述底板位于内电离室筒与外电离室筒之间的区域上安装有外电离室高压极和外电离室集电极,外电离室高压极与外电离室筒内壁导电层连通,外电离室集电极通过导电嵌件与内电离室筒外壁导电层连通,内电离室集电极接头远离内电离室集电极的一端安装有与所述底板配合的绝缘环;
静电计电路包括电流精密放大器LMP7721和电压跟随器,所述电流精密放大器LMP7721的反相输入端与内电离室集电极接头和外电离室集电极均连接,所述电流精密放大器LMP7721的同相输入端分三路,一路与所述电流精密放大器LMP7721的输出端YFout连接,另一路经低剂量率切换电阻R7与所述电流精密放大器LMP7721的反相输入端连接,第三路与所述电压跟随器连接,内电离室高压极和外电离室高压极均与高压供电电源连接。
上述的集低能型和高能型为一体的γ辐射电离室探测装置,其特征在于:所述电离室探测器外套设有电离室保护筒,电离室保护筒的顶端安装有电离室保护罩,所述电离室保护罩为镂空结构,所述电离室保护筒为导电电离室保护筒,所述导电电离室保护筒接地;电离室保护筒为铝制电离室保护筒,电离室保护罩为铝制电离室保护罩。
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