[实用新型]一种用于多晶硅用切割硅芯脱胶的装置有效

专利信息
申请号: 201822234268.8 申请日: 2018-12-28
公开(公告)号: CN209903644U 公开(公告)日: 2020-01-07
发明(设计)人: 梁玲;罗晓斌;郭岂宏;李波;赵科巍;张波;王莹;陈丽 申请(专利权)人: 山西潞安太阳能科技有限责任公司
主分类号: B28D7/00 分类号: B28D7/00
代理公司: 14101 太原市科瑞达专利代理有限公司 代理人: 李富元
地址: 046000 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 镂空隔板 容腔 四棱台 本实用新型 多晶硅 缓冲槽 加热槽 脱胶槽 硅芯 脱胶 切割 脱胶技术领域 温度传感器 加热装置 出水口 硅芯棒 盖子 三层 下层 中层 上层
【说明书】:

本实用新型涉及多晶硅用切割硅芯脱胶技术领域。一种用于多晶硅用切割硅芯脱胶的装置,第一镂空隔板(5)和第二镂空隔板(3)将该装置分为上中下三层,上层为一个四棱台容腔的脱胶槽(1),中层为一个四棱台容腔的缓冲槽(4),下层为一个长方体容腔的加热槽(6),脱胶槽(1)和缓冲槽(4)整体构成一个四棱台容腔,加热槽(6)底部有加热装置(7)、带盖子的出水口(9)、温度传感器(8),第一镂空隔板(5)的空隙比第二镂空隔板(3)的空隙大。本实用新型能够完好的完成带基座的硅芯棒的脱胶。

技术领域

本实用新型涉及多晶硅用切割硅芯脱胶技术领域。

背景技术

近年来,由于技术的快速进步,光伏行业发展迅猛,已成为可再生能源领域的一匹黑马。多晶硅产业是整个光伏产业的最上游,其生产方法主要有两种,一是改良西门子法,二是硅烷流化床法,其中,改良西门子法生产的多晶硅产量占全球多晶硅总产量90%以上,是在还原炉内通入三氯氢硅和氢气,同时炉内放置硅芯,给硅芯棒通电加热至反应温度,然后通过化学气相沉积的方法,让硅沉积在硅芯表面上,生产出满足要求的原生多晶硅。

所以说,硅芯是多晶硅生产过程中必不可少的原材料之一,根据生产工艺不同又可以分为区熔硅芯和切割硅芯两种。区熔硅芯是在区熔设备内,利用预先制备好的原料棒,通过区熔工艺拉制成直径7-12mm,长2.6-3.0m的硅芯,由于其横截面为圆形,也叫圆硅芯。切割法硅芯是通过金刚线网切割直拉硅芯棒获得硅芯,由于线网十字交叉,所以所切硅芯横截面为正方形,也叫方硅芯。与圆硅芯相比,方硅芯具有产能大,尺寸规格一致,还原炉倒棒率低等优势,国内厂商采用较多。对硅芯棒尺寸的要求也比较严格,一般硅芯长度规格为2.4m、2.6m、2.8m、3.3m不等,正负偏差不超过5mm,横截面规格主要有10×10mm、15×15mm等几种。

硅芯切割主要通过硅芯切割机进行纵向切割,首先将切割基座与硅芯棒头部粘连,并悬挂于设备上,通过金刚线切割线网从硅芯棒下部开始向上切割。切割完毕的硅芯需要经过由下棒→脱胶→单根硅芯分离→预清洗等操作。

专利主要针对切割完毕的硅芯棒如何快速、稳定地与切割基座脱胶等问题,根据生产实践,设计专用工具完成该作业。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是:如何提供一种适合脱胶用的脱胶槽装置。

本实用新型所采用的技术方案是:一种用于多晶硅用切割硅芯脱胶的装置,第一镂空隔板(5)和第二镂空隔板(3)将该装置分为上中下三层,上层为一个四棱台容腔的脱胶槽(1),中层为一个四棱台容腔的缓冲槽(4),下层为一个长方体容腔的加热槽(6),脱胶槽(1)和缓冲槽(4)整体构成一个四棱台容腔,加热槽(6)底部有加热装置(7)、带盖子的出水口(9)、温度传感器(8),第一镂空隔板(5)的空隙比第二镂空隔板(3)的空隙大。

作为一种优选方式:加热槽(6)的上部内部四周有凸沿(10),第二镂空隔板(3)放置在凸沿(10)上方。

作为一种优选方式:第二镂空隔板(3)的四角各有一根支柱(2),第一镂空隔板(5)放置在支柱(2)的顶部。

作为一种优选方式:第一镂空隔板(5)和第二镂空隔板(3)都是由带孔橡胶板(11)和处于外侧的与带孔橡胶板(11)连接的钢圈(12)构成,第一镂空隔板(5)的钢圈(12)的下侧四角有与支柱(2)直径相同的盲孔(13)。

本实用新型的有益效果是:在脱胶过程中,带基座的硅芯棒倾斜放入本实用新型装置中,通过第一镂空隔板和第二镂空隔板的隔离,放置硅芯棒与底面发生碰撞,损坏硅芯棒和加热装置,第一镂空隔板和第二镂空隔板由橡胶材料制备,具有弹性,并且镂空板的外侧有钢圈,同时也能保持刚性支撑,能够完好的完成带基座的硅芯棒的脱胶。

附图说明

图1是本实用新型的主视图示意图;

图2是本实用新型的俯视图示意图;

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