[实用新型]离子注入设备

权利要求书

1.一种离子注入设备，应用于铜铟镓硒CIGS薄膜制备装置，所述制备装置包括工艺腔，所述工艺腔用于在基板上形成CIGS薄膜以得到CIGS薄膜基板，其特征在于，所述离子注入设备包括：

离子容置腔，位于所述工艺腔内，所述离子容置腔包括释放口，所述释放口位于所述CIGS薄膜基板的下方，朝向所述CIGS薄膜；

离子发生构件，位于所述离子容置腔内，用于在所述离子容置腔内产生碱金属离子；

离子加速构件，位于所述工艺腔内，用于对所述离子发生构件产生的所述碱金属离子进行加速，使得所述碱金属离子从所述释放口射出，射向所述CIGS薄膜。

2.根据权利要求1所述的离子注入设备，其特征在于，所述离子发生构件包括：

碱金属靶材，位于所述离子容置腔内；

直流脉冲电源接口，用于连接直流脉冲电源，所述直流脉冲电源接口的阳极连接所述工艺腔的壳体，所述直流脉冲电源接口的阴极连接所述碱金属靶材；

导管，所述导管的一端连通所述离子容置腔，另一端连通至所述工艺腔外部，用于向所述离子容置腔内导入惰性气体。

3.根据权利要求2所述的离子注入设备，其特征在于，

所述碱金属靶材包括卧式靶材。

4.根据权利要求3所述的离子注入设备，其特征在于，所述卧式靶材包括圆柱卧式旋转靶材；所述离子注入设备还包括：

控制器；

电机，连接所述控制器和所述圆柱卧式旋转靶材，用于在所述控制器的控制下带动所述圆柱卧式旋转靶材旋转。

5.根据权利要求1所述的离子注入设备，其特征在于，所述释放口位于所述离子容置腔的顶部；所述离子加速构件还包括：

线圈，螺旋缠绕在所述离子容置腔的外壁；

脉冲电源接口，用于连接脉冲电源，所述脉冲电源接口的两端分别连接所述线圈的两端，用于使所述线圈产生磁场，所述磁场用于对所述离子容置腔内的碱金属离子进行加速，使所述碱金属离子从所述释放口射出。

6.根据权利要求5所述的离子注入设备，其特征在于，所述离子加速构件还包括：

接地金属板，位于所述CIGS薄膜基板的所述CIGS薄膜所在面的相对面与工艺腔的顶部之间，与所述CIGS薄膜基板平行。

7.根据权利要求1所述的离子注入设备，其特征在于，所述离子注入设备包括两个所述离子容置腔以及分别位于两个所述离子容置腔内的两个所述离子发生构件；其中两个所述离子容置腔的所述释放口以一定的角度相对；

所述离子加速构件包括粒子对撞器，所述粒子对撞器上设置有输入口和输出口，所述输入口连通两个所述离子容置腔的释放口，所述粒子对撞器用于使从所述输入口输入的产生于两个所述离子容置腔的所述碱金属离子进行加速后对撞，并使对撞后的碱金属离子从所述输出口射出，射向所述CIGS薄膜。