[实用新型]一种OJ芯片大功率瞬态抑制保护二极管

权利要求书

1.一种OJ芯片大功率瞬态抑制保护二极管，其特征在于，包括方形铜座，所述方形铜座的上部设置有芯片层，所述芯片层自上至下依次包括焊片层、方形OJ双面镀镍芯片、焊片层、石墨烯层、焊片层、铜粒层、焊片层以及外接引线；所述芯片层的四周设置有白胶保护层，所述方形铜座的上部设置有设置在芯片层外侧的黑胶保护壳；

所述方形OJ双面镀镍芯片的厚度为310μm-980μm。

2.根据权利要求1所述的一种OJ芯片大功率瞬态抑制保护二极管，其特征在于，所述白胶保护层为密封硅胶材料。

3.根据权利要求2所述的一种OJ芯片大功率瞬态抑制保护二极管，其特征在于，所述黑胶保护壳为黑色环氧树脂塑封胶。

4.根据权利要求3所述的一种OJ芯片大功率瞬态抑制保护二极管，其特征在于，所述黑胶保护壳的下部设置有与芯片层配合设置的方形凹槽，所述方形凹槽的一端设置有与方形凹槽连通设置的矩形凹槽，另一端设置有卡位块，所述方形凹槽的两侧设置有卡位凸柱。

5.根据权利要求4所述的一种OJ芯片大功率瞬态抑制保护二极管，其特征在于，所述方形铜座的一端设置有支撑护板，另一端设置有与卡位块配合设置的卡位槽，所述方形铜座的两侧设置有与卡位凸柱配合设置的卡位凹槽。

6.根据权利要求5所述的一种OJ芯片大功率瞬态抑制保护二极管，其特征在于，所述外接引线包括方形引线部分，所述方形引线板的一端设置有过渡部分，所述过渡部分远离方形引线部分的一端设置有连接部分，所述连接部分远离过渡部分的一端引线折弯部分。