[实用新型]一种用于无线能量传输的整流二极管有效
| 申请号： | 201822239595.2 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN209374457U | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 李雯;李薇 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/167;H01L29/161 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延层 衬底 无线能量传输 肖特基二极管 本实用新型 整流二极管 缓冲层 上表面 能量转换效率 第二表面 第二电极 第一表面 第一电极 台阶表面 台阶结构 迁移率 脊状 引入 | ||
1.一种用于无线能量传输的整流二极管(10)，其特征在于，包括：
Si衬底(101)；
Ge缓冲层(102)，设置于所述Si衬底(101)的第一表面；
外延层(103)，设置于所述Ge缓冲层(102)的上表面，为脊状台阶结构；
SiGe层(104)，设置于所述外延层(103)的台阶表面；
第一电极(105)，设置于所述外延层(103)的脊状顶面；
第二电极(106)，设置于所述Si衬底(101)的第二表面。
2.根据权利要求1所述的整流二极管(10)，其特征在于，所述Si衬底(101)为N型单晶Si衬底，掺杂浓度为1×1020cm-3，厚度为300～400μm。
3.根据权利要求1所述的整流二极管(10)，其特征在于，所述Ge缓冲层(102)材料为N型Ge材料，掺杂浓度为1×1020cm-3，厚度为40～50nm。
4.根据权利要求1所述的整流二极管(10)，其特征在于，所述外延层(103)材料为N型Ge材料，掺杂浓度为1.8×1014～2×1014cm-3，厚度为900～950nm。
5.根据权利要求1所述的整流二极管(10)，其特征在于，所述外延层(103)材料为N型GeSn材料，掺杂浓度为1.8×1014～2×1014cm-3，厚度为800～1000nm。
6.根据权利要求1所述的整流二极管(10)，其特征在于，所述外延层(103)脊状顶面至台阶表面的高度与所述SiGe层(104)厚度一致。
7.根据权利要求6所述的整流二极管(10)，其特征在于，所述SiGe层(104)材料为Si0.5Ge0.5材料，厚度为20nm。
8.根据权利要求1所述的整流二极管(10)，其特征在于，所述第一电极(105)厚度为10～20nm，材料为金属W。
9.根据权利要求1所述的整流二极管(10)，其特征在于，所述第二电极(106)厚度为10～20nm，材料为金属Al。
10.根据权利要求1所述的整流二极管(10)，其特征在于，所述第一电极(105)设置于所述外延层(103)脊状台阶的脊状顶面的中心处；所述第二电极(106)设置于所述Si衬底(101)的第二表面的中心处。
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