[实用新型]炉管机台冷却装置

说明书

本实用新型公开了一种炉管机台冷却装置，包括：硅片暂存装置，所述硅片在炉管工艺结束后传输至所述硅片暂存装置，所述硅片暂存装置用于存放需要冷却的硅片；冷却系统，所述冷却系统用于将在硅片暂存装置上的硅片冷却。本实用新型本通过对炉管机台进行改进，在装载区域新增冷却装置，产品工艺结束后硅片传到冷却区域进行降温，机台可以继续下一炉工艺，大大缩短了降温时间从而提高机台产能。

技术领域

本实用新型涉及集成电路制造领域，特别是一种炉管机台冷却装置。

背景技术

在半导体制造中，半导体器件设计向高密度、高集成度的方向迅速发展，对半导体集成电路新工艺、新技术、新设备提出了越来越高的要求。

炉管(Furnace)是一种高温制程，会在硅片(wafer)表面添加一层膜(film)，例如氧化、沉积以及掺杂，或是改变硅片(wafer)材质的化学状态(合金)或物理状态(退火,扩散和再流动)，包括：氧化、沉积、退火和合金化。由于氧化是由温度决定的，所以炉管的氧化膜生长则需要800°以上的温度；另外氧化膜生长大多是一炉同时进，相同工艺的硅片被一起装到炉子里，在那里同时被氧化。炉管主要应用于半导体、太阳能电池板、液晶显示等领域，是半导体工艺流程中不可缺少的模块之一。

操作时，将多个硅片水平装载在晶舟中，晶舟可以从炉管下方的预装载区垂直进入炉管，使硅片在炉管内接受工艺，并在工艺后将硅片再传输到装载区进行冷却。炉管的氮气冷却系统(NBS)设置在炉管下方的装载区，用于对作业完成但仍处于高温的硅片和晶舟进行冷却。

现有的炉管的冷却装置NBS设置在炉管下方的装载区，其位于晶舟一侧。当硅片工艺结束后晶舟降至装载区域，打开NBS，通过氮气带走硅片及晶舟的热量，达到降温的效果。

然而，由于降温时硅片占用晶舟，无法继续下一炉作业，只有等硅片降温完毕，传回硅片传送盒(FOUP)才能继续下一炉工艺。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是，提供一种炉管机台冷却装置，在冷却时无需占用晶舟，达到缩短降温时间从而提高机台产能的效果。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种炉管机台冷却装置，包括：硅片暂存装置，所述硅片在炉管工艺结束后传输至所述硅片暂存装置，所述硅片暂存装置用于存放需要冷却的硅片；冷却系统，所述冷却系统用于将在硅片暂存装置上的硅片冷却。

优选地，还包括：可移动绝热门，在硅片冷却完毕传输至下一工艺区域后用以隔绝硅片与装载区域之间热传递。

优选地，所述硅片暂存装置包括：底座；至少两个与所述底座垂直设置的支架；均匀设置于每个所述支架内侧的引条，相邻的所述引条与支架内侧构成引导槽，用于放置硅片且其中两个所述支架间的距离与硅片的直径相适应。

优选地，所述硅片暂存装置的引条数量为50-143个。

优选地，所述硅片暂存装置引条形状为弧形。

优选地，所述硅片暂存装置的材料为碳化硅。

优选地，所述冷却系统包括冷却管路，所述冷却管路的输入端连接供气系统，所述冷却管路的输出端设置冷却管，冷却管的管壁上设有多个出气孔用于喷出冷却气体。

优选地，所述冷却气体为氮气。

优选地，所述冷却管上的气孔与硅片相对应。

本实用新型本通过对炉管机台进行改进，在装载区域新增冷却装置，产品工艺结束后硅片传到冷却区域进行降温，机台可以继续下一炉工艺，大大缩短了降温时间从而提高机台产能。

附图说明