[实用新型]一种MEMS结构有效
| 申请号： | 201822245337.5 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN210193393U | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 季锋;江为团;刘琛;闻永祥 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 结构 | ||
1.一种MEMS结构，其特征在于，包括：
位于半导体衬底中的空腔；
位于所述半导体衬底的第一表面上且封闭所述空腔的敏感膜片；
穿过所述敏感膜片到达所述空腔的开口；
覆盖所述敏感膜片的表面、并且形成所述开口内壁上的衬层的停止层；
位于所述敏感膜片上且封闭所述开口的层间介质层；以及
从所述半导体衬底的第二表面到达所述空腔的通道。
2.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，还包括位于所述敏感膜片中的多个敏感电阻。
3.根据权利要求2所述的MEMS结构，其特征在于，还包括围绕所述空腔的阱区。
4.根据权利要求3所述的MEMS结构，其特征在于，所述敏感膜片包括：
形成所述敏感膜片的框架的第一掺杂区；以及
位于所述第一掺杂区上的外延层，
其中，所述第一掺杂区形成网格图案，所述外延层覆盖所述第一掺杂区，并且填充所述网格图案的网孔以封闭所述空腔。
5.根据权利要求4所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一掺杂区的结深小于所述阱区的结深。
6.根据权利要求4所述的MEMS结构，其特征在于，所述多个敏感电阻为所述外延层中的掺杂区。
7.根据权利要求2所述的MEMS结构，其特征在于，还包括：
互连结构，穿过所述层间介质层和所述停止层连接所述多个敏感电阻。
8.根据权利要求7所述的MEMS结构，其特征在于，所述多个敏感电阻互连成惠斯通电桥。
9.根据权利要求4所述的MEMS结构，其特征在于，所述半导体衬底和所述敏感电阻为第一掺杂类型，所述阱区、所述第一掺杂区为第二掺杂类型，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型相反。
10.根据权利要求9所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一掺杂类型为P型，所述第二掺杂类型为N型。
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