[实用新型]一种芯粒抓取装置有效
申请号: | 201822249450.0 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN209691724U | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 黄文嘉;邓有财;张中英 | 申请(专利权)人: | 厦门三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687;H01L33/48 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯粒 粘膜 顶针 抓取 蓝膜 本实用新型 滚珠 滚压 半导体芯 分选工艺 位置偏移 芯粒表面 针眼 刺破 刮伤 胶膜 上芯 粘附 镶嵌 脱离 | ||
1.一种芯粒抓取装置,包括顶针系统和吸笔,所述顶针系统包括一顶针、一支架,所述支架上放置有上表面粘附芯粒的胶膜,所述吸笔位于芯粒上方用来抓取芯粒,所述芯粒抓取装置的作用为进行芯粒、胶膜分离,所述顶针用于顶起胶膜上的芯粒,其特征在于,顶针具有可活动的滚珠或者滚轮,利用滚珠或滚轮与胶膜接触。
2.根据权利要求1所述的一种芯粒抓取装置,其特征在于,顶针与一温度调节器连接,温度调节器工作时对顶针进行加热或冷却。
3.根据权利要求2所述的一种芯粒抓取装置,其特征在于,所述温度调节器直接或者间接对滚珠或滚轮加热或冷却。
4.根据权利要求2所述的一种芯粒抓取装置,其特征在于,所述温度调节器加热或冷却的顶针在工作时,与芯粒下方的胶膜接触,以降低胶膜对芯粒的粘附性,通过所述吸笔抓取胶膜上的芯粒。
5.根据权利要求1所述的一种芯粒抓取装置,其特征在于,所述胶膜在大于等于10℃至小于80℃,或者大于等于80至小于等于150℃不会被破坏。
6.根据权利要求1所述的一种芯粒抓取装置,其特征在于,所述胶膜上表面含有粘剂,所述粘剂在5~35℃温度范围具备粘附性,当粘剂在35~150℃温度范围粘附性下降。
7.根据权利要求1所述的一种芯粒抓取装置,其特征在于,所述顶针位于支架中央,顶针顶端为弧面或者球面。
8.根据权利要求1所述的一种芯粒抓取装置,其特征在于,所述支架用来吸附胶膜下表面。
9.根据权利要求1所述的一种芯粒抓取装置,其特征在于,所述芯粒抓取装置还包括行程控制系统,所述行程控制系统通过影像识别技术控制顶针和吸笔精确移动。
10.根据权利要求1所述的一种芯粒抓取装置,其特征在于,滚珠或滚轮位于顶针顶端,顶针与芯片下方的胶膜滚动接触。
11.一种顶针,用于芯粒分选工艺,其特征在于,具有可活动的滚珠或者滚轮,滚珠或滚轮位于顶针顶端,顶针与芯片下方的胶膜滚动接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造