[实用新型]独立开关式面光源VCSEL有效
| 申请号： | 201822252880.8 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN209088266U | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 王俊;谭少阳;赵智德 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 杨淑霞 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延层 发光区域 供电电极 本实用新型 独立开关 发光芯片 背电极 面光源 衬底 半导体 半导体衬底层 电极一端 使用寿命 依次层叠 延长面 电极 源层 光源 背面 能耗 协同 节约 延伸 | ||
1.一种独立开关式面光源VCSEL，其特征在于，所述独立开关式面光源VCSEL包括：半导体衬底、外延层以及至少两个各自独立工作的发光区域；
所述外延层位于所述半导体衬底的正面，所述发光区域位于所述外延层的正面，各发光区域具有各自独立的供电电极，任一所述发光区域包括：发光芯片以及所述供电电极，所述发光芯片包括自上而下依次层叠设置的：上DBR层、有源层以及下DBR层，所述供电电极包括：外延层电极以及背电极，所述外延层电极一端与所述上DBR层的顶面相连接，另一端延伸至所述外延层上，所述背电极位于半导体衬底层的背面。
2.根据权利要求1所述的独立开关式面光源VCSEL，其特征在于，任一所述发光区域中具有至少一个发光芯片。
3.根据权利要求2所述的独立开关式面光源VCSEL，其特征在于，所述发光芯片为多个，多个发光芯片以规则或者不规则的方式排布于所述外延层上。
4.根据权利要求3所述的独立开关式面光源VCSEL，其特征在于，多个发光芯片以方形阵列或者圆形阵列的方式进行排布。
5.根据权利要求1所述的独立开关式面光源VCSEL，其特征在于，所述发光区域为四个，四个发光区域对应一直角坐标系的四个象限。
6.根据权利要求5所述的独立开关式面光源VCSEL，其特征在于，四个发光区域的面积相等或者不等。
7.根据权利要求1所述的独立开关式面光源VCSEL，其特征在于，所述外延面电极与所述发光芯片的侧壁之间还设置有绝缘层。
8.根据权利要求1所述的独立开关式面光源VCSEL，其特征在于，各发光区域之间设置有隔离层。
9.根据权利要求1所述的独立开关式面光源VCSEL，其特征在于，所述独立开关式面光源VCSEL为适用于红外、可见和紫外光波段面光源VCSEL中的任一种。
10.根据权利要求1所述的独立开关式面光源VCSEL，其特征在于，所述独立开关式面光源VCSEL为适用于无偏振控制或偏振控制的面光源结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司，未经苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201822252880.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：DFB激光器外延结构
- 下一篇：一种带空气间隙悬挂式避雷器
