[实用新型]一种太阳电池铝背场结构有效
申请号: | 201822262071.5 | 申请日: | 2018-12-30 |
公开(公告)号: | CN209822650U | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 蒋建宝 | 申请(专利权)人: | 无锡赛晶太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 32237 江苏圣典律师事务所 | 代理人: | 贺翔 |
地址: | 214251 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 本实用新型 减反射膜 正面电极 丝网 挡块 底端 单体太阳电池 铝背场结构 太阳电池阵 单体电池 顶端安装 内侧位置 使用寿命 吸收能力 吸收性能 背电场 背反射 多层膜 防护板 焊接点 晶体硅 铝背场 消耗量 密栅 浅结 绒面 电池 外部 | ||
本实用新型公开了一种太阳电池铝背场结构,包括减反射膜,所述减反射膜的顶端安装有正面电极,且正面电极位于减反射膜的顶端内侧位置,设置有四个,所述正面电极上设置有防护板,设置有四个,所述减反射膜的底端安装有N型硅板,所述N型硅板的底端安装有晶体硅板,本实用新型为了提高单体太阳电池的性能,采取浅结、密栅、背电场、背反射、绒面和多层膜等措施,增大单体电池面积有利于减少太阳电池阵的焊接点,提高可靠性,同时使本电池的吸收能力增强,本实用新型上设置有丝网与挡块,通过挡块与丝网进一步的减少外部的铝背场消耗量,从而降低成本,增加本实用新型的使用寿命,增加其吸收性能。
技术领域
本实用新型涉及太阳电池领域,具体为一种太阳电池铝背场结构。
背景技术
太阳电池可以有效吸收太阳能,并将其转化成电能的半导体部件,用半导体硅﹑硒等材料将太阳的光能变成电能的器件,具有可靠性高﹐寿命长﹐转换效率高等优点﹐可做人造卫星﹑航标灯﹑晶体管收音机等的电源,单体电池尺寸从1×1厘米至15.6×15.6厘米,输出功率为数十豪瓦至数瓦,它的理论光电转换效率为25%以上,实际已达到22%以上,太阳能电池是一种利用光生伏特效应把光能转换成电能的器件,又叫光伏器件,主要有单晶硅电池和单晶砷化镓电池等,太阳电池最初为空间航天器使用,空间航天器用单晶硅太阳电池的基本材料为纯度达0.999999、电阻率在10欧·厘米以上的P型单晶硅,包括p-n结、电极和减反射膜等部分,受光照面加透光盖片(如石英或渗铈玻璃)保护,防止电池受外层空间范爱伦带内高能电子和质子的辐射损伤,单体电池尺寸从2×2厘米至5.9×5.9厘米,输出功率为数十至数百毫瓦,它的理论光电转换效率为20%以上,实际已达到15%以上,单晶砷化镓太阳电池的理论光电转换效率为24%,实际达到18%。它能在高温、高光强下工作,耐辐射损伤能力高于硅太阳电池,但镓的产量较少,成本高,级联p-n结太阳电池是在一块衬底上叠加多个不同带隙材料的p-n结,带隙大的顶结靠光照面,吸收短波光,往下带隙依次减小,吸收的光波波长逐渐增长,这种电池可以充分利用日光,光电转换效率大大提高。
目前阶段的一种太阳电池存在诸多不足之处,例如:吸收能力较差、适应能力强、性能不好等等。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种太阳电池铝背场结构,以解决上述背景技术中提出的吸收能力较差、适应能力强、性能不好等问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种太阳电池铝背场结构,包括减反射膜,所述减反射膜的顶端安装有正面电极,且正面电极位于减反射膜的顶端内侧位置,设置有四个,所述正面电极上设置有防护板,且防护板位于正面电极的顶端位置,设置有四个,所述减反射膜的底端安装有N型硅板,所述N型硅板的底端安装有晶体硅板,所述晶体硅板的底端安装有PN结板,所述PN结板的底端安装有P型硅板,所述P型硅板的底端安装有铝背场板,所述铝背场板的一端安装有连接板,所述连接板的顶端安装有背面电极,所述铝背场板上设置有丝网,所述丝网内侧安装有挡块,且挡块设置有两个。
优选的,所述防护板与正面电极设置为一体结构,且防护板位于减反射膜的顶端位置。
优选的,所述减反射膜与正面电极固定连接,且正面电极位于减反射膜上的中间位置两侧处。
优选的,所述N型硅板与晶体硅板固定连接,且晶体硅板与PN结板固定连接。
优选的,所述P型硅板与铝背场板固定连接,且铝背场板与连接板固定连接。
优选的,所述丝网与挡块位于铝背场板上,且丝网与挡块设置为一体结构。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的