[实用新型]高光效白光LED芯片有效
| 申请号： | 201822266846.6 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN209471995U | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 肖伟民 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/50;H01L33/60;H01L33/54 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 荧光膜 金属电极 透明硅胶 高光效 反胶 白光LED芯片 蓝光LED芯片 倒装 本实用新型 白光芯片 出光效率 电极焊盘 发光面 光反射 上表面 下坡状 有效光 侧面 输出 | ||
【权利要求书】：
1.一种高光效白光LED芯片，其特征在于，包括：金属电极、倒装蓝光LED芯片、透明硅胶、高反胶以及荧光膜片；其中，
所述金属电极设于所述LED芯片中电极焊盘表面；
所述荧光膜片设于所述LED芯片的上表面，且所述荧光膜片的面积大于LED芯片表面的面积；
所述透明硅胶于所述荧光膜片表面呈下坡状设于所述LED芯片四周，且坡面的角度范围为5~45°；
所述高反胶设于所述LED芯片、透明硅胶及荧光膜片四周，且所述高反胶不超出LED芯片表面的金属电极。
2.如权利要求1所述的高光效白光LED芯片，其特征在于，所述荧光膜片设于所述LED芯片的上表面，所述荧光膜片沿所述LED芯片的中心位置对称设置。
3.如权利要求1所述的高光效白光LED芯片，其特征在于，所述金属电极的厚度范围为10~200μm。
4.如权利要求1或2或3所述的高光效白光LED芯片，其特征在于，采用电镀或者化学镀的方法在所述LED芯片表面形成金属电极。
5.如权利要求1或2或3所述的高光效白光LED芯片，其特征在于，所述透明硅胶于所述荧光膜片表面朝向荧光膜片呈下坡状设于所述LED芯片四周。
6.如权利要求5所述的高光效白光LED芯片，其特征在于，沿所述LED芯片的任意一侧，所述透明硅胶的高度范围为120~150μm，宽度范围为120~1000μm。
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