[实用新型]MPS二极管器件有效
| 申请号： | 201822267178.9 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN209766431U | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 卓廷厚;李钊君;刘延聪 | 申请（专利权）人： | 厦门芯光润泽科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 35227 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 吴圳添 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬高新区*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂区 外延层 金属 二极管器件 阳极电极 掺杂 肖特基接触 二极管 导通特性 欧姆接触 阴极电极 正向压降 区表面 碳化硅 衬底 | ||
【权利要求书】：
1.一种MPS二极管器件，所述MPS二极管器件自下而上包括阴极电极、N+碳化硅衬底、N-外延层和阳极电极；所述N-外延层具有至少两个P+区；
其特征在于：
相邻两个所述P+区之间具有N-补偿掺杂区，所述补偿掺杂区的深度小于或者等于所述P+区的深度，所述N-补偿掺杂区的掺杂浓度高于所述N-外延层的掺杂浓度；
所述阳极电极包括第一金属和第二金属，所述P+区表面与所述第一金属之间为欧姆接触，所述N-补偿掺杂区表面与所述第二金属之间为肖特基接触。
2.如权利要求1所述的MPS二极管器件，其特征在于，所述N-补偿掺杂区直接与相邻两个所述P+区的边缘相连。
3.如权利要求1所述的MPS二极管器件，其特征在于，所述P+区深度为0.8μm～2μm，所述N-补偿掺杂区的深度与所述P+区的深度差值为0μm～0.6μm。
4.如权利要求1所述的MPS二极管器件，其特征在于，所述第一金属为镍，所述第二金属为钛。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门芯光润泽科技有限公司，未经厦门芯光润泽科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201822267178.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件、金属氧化物半导体场效应管和整流器器件
- 下一篇：MPS二极管器件
- 同类专利
- 专利分类
