[实用新型]NVDIMM控制器以及NVDIMM有效
| 申请号： | 201822267330.3 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN209803776U | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 周小锋;江喜平 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/14 | 分类号： | G06F11/14 |
| 代理公司： | 11285 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈璐;郑建晖 |
| 地址： | 710003 陕西省西安市高新区软件*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 控制器 数据备份模块 数据恢复模块 读取 发送 本实用新型 控制器控制 解码 使能 | ||
1.一种NVDIMM控制器，所述NVDIMM控制器包括DDR控制器和NAND闪存控制器，所述NVDIMM控制器用于控制NVDIMM，所述NVDIMM包括DRAM和NAND闪存，所述DDR控制器与所述DRAM相连接，所述NAND闪存控制器与所述NAND闪存相连接，其中所述DDR控制器采用并使能DBI，其特征在于，
所述NVDIMM控制器还包括：
数据备份模块，该数据备份模块将所述DDR控制器从所述DRAM读取的N位DQ和1位DBI编码成N位EDQ，并将N位EDQ发送至所述NAND闪存控制器；以及
数据恢复模块，该数据恢复模块将所述NAND闪存控制器从所述NAND闪存读取的N位EDQ解码成N位DQ和1位DBI，并将N位DQ和1位DBI发送至所述DDR控制器，
其中所述数据备份模块与所述DDR控制器和所述NAND闪存控制器相连接，且所述数据恢复模块与所述DDR控制器和所述NAND闪存控制器相连接。
2.根据权利要求1所述的NVDIMM控制器，其中，所述数据备份模块在所述N位DQ中含有N/2个“1”时将所述N位EDQ编码成与所述N位DQ相同，并且在所述N位DQ中的“1”的数目不是N/2个时将所述N位DQ索引映射到N位EDQ中的N-1位以及将1位DBI写入N位EDQ中的剩余1位，其中N位EDQ中的“1”的位数不为N/2。
3.根据权利要求1或2所述的NVDIMM控制器，其中，所述数据恢复模块在所述N位EDQ中含有N/2个“1”时将所述N位EDQ解码成与之相同的N位DQ，并且在所述N位EDQ中的“1”的数目不是N/2个时将所述N位EDQ逆映射为N位DQ和1位DBI。
4.根据权利要求1所述的NVDIMM控制器，其中，所述DRAM是DDR4。
5.根据权利要求4所述的NVDIMM控制器，其中，所述DDR4是DDR4×8或DDR4×16。
6.根据权利要求5所述的NVDIMM控制器，其中，当所述DDR4是DDR4×8时，所述EDQ为8位EDQ，所述数据备份模块在8位EDQ中含有4个“1”时将所述8位DQ编码成与之相同的8位EDQ，并且在8位EDQ中含有5-8个“1”时将8位DQ索引映射到8位EDQ中的7位以及将1位DBI写入8位EDQ中的剩余1位，其中8位EDQ中的“1”的位数不为4。
7.根据权利要求6所述的NVDIMM控制器，其中，所述数据恢复模块在8位EDQ中含有4个“1”时使得所述DQ与所述EDQ相同，并且在8位EDQ中含有非4个“1”时将所述8位EDQ逆映射为8位DQ和1位DBI。
8.一种NVDIMM，包括如权利要求1-7任一项所述的NVDIMM控制器。
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