[实用新型]半导体功率器件有效
申请号: | 201822268288.7 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN209561381U | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 许新佳;周炳;陈雨雁;赵承杰;夏凯 | 申请(专利权)人: | 张家港意发功率半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488 |
代理公司: | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人: | 杨淑霞 |
地址: | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 键合 铝条 铅锡银 硅外延层 半导体功率器件 掺杂 钝化层 本实用新型 衬底层 抬升 导通电阻 接触电阻 冷却定型 芯片损伤 窗口处 键合区 融合 芯片 延伸 | ||
1.一种半导体功率器件,其特征在于,所述半导体功率器件包括:衬底层、掺杂P的硅外延层、钝化层以及铝条带;
所述掺杂P的硅外延层形成于所述衬底层上,所述钝化层形成于所述掺杂P的硅外延层上,所述钝化层上开设有键合窗口,所述键合窗口延伸至所述掺杂P的硅外延层上,所述铝条带通过铅锡银键合于所述键合窗口处,且所述铝条带用于键合的端部融合于冷却定型的铅锡银中,且所述铝条带的键合的端部向上抬升所述铅锡银一半厚度的距离。
2.根据权利要求1所述的半导体功率器件,其特征在于,所述衬底层选自Si、SiC、蓝宝石中的一种。
3.根据权利要求1所述的半导体功率器件,其特征在于,所述钝化层为SiN层。
4.根据权利要求1所述的半导体功率器件,其特征在于,所述键合窗口为两个,两个键合窗口的尺寸相同或者不同。
5.根据权利要求1所述的半导体功率器件,其特征在于,所述键合窗口通过光刻的方式形成于所述钝化层上。
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