[实用新型]一种光探测器有效
| 申请号： | 201822269754.3 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN209374461U | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 孙思维 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李博洋 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光探测器 吸收区 反射光栅 本实用新型 无源波导区 衬底 光信号反射 传播方向 二次吸收 同层设置 吸收能力 高响应 光反射 光耦合 入射光 吸收 | ||
1.一种光探测器，其特征在于，包括：
衬底，以及沿入射光传播方向依次同层设置在所述衬底上的无源波导区、吸收区和反射光栅区；
所述无源波导区用于将所述入射光耦合至所述吸收区；
所述反射光栅区用于将未被所述吸收区吸收的所述入射光反射回所述吸收区。
2.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述反射光栅区包括：周期性排布的硅层和氧化硅层。
3.根据权利要求2所述的光探测器，其特征在于，所述反射光栅结构的光栅占空比为50％。
4.根据权利要求2所述的光探测器，其特征在于，所述反射光栅结构的排布周期为0.3-0.4μm。
5.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述无源波导区接收所述入射光的一端的端面面积小于与所述吸收区耦合的一端的端面面积。
6.根据权利要求5所述的光探测器，其特征在于，所述无源波导区与所述吸收区耦合的一端的端面与所述吸收区被所述无源波导区耦合的一端的端面重合，所述吸收区与所述反射光栅区耦合的一端与所述反射光栅区被所述吸收区耦合的一端的端面重合。
7.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述吸收区的材料包括锗，所述吸收区沿所述入射光传播方向的长度为10-15μm，所述吸收区在水平垂直于所述入射光传播方向的长度为1-4μm，所述吸收区在竖直垂直于所述入射光传播方向的长度为0.1-0.3μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
