[实用新型]一种薄膜电路有效

专利信息
申请号: 201822272626.4 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN210945765U 公开(公告)日: 2020-07-07
发明(设计)人: 彭高东;魏永勇;吴浩;熊珊 申请(专利权)人: 广州创天电子科技有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/18;C23C14/06
代理公司: 广州市百拓共享专利代理事务所(特殊普通合伙) 44497 代理人: 刘静
地址: 510730 广东省广州市广州经济*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 薄膜 电路
【权利要求书】:

1.一种薄膜电路,其包括一薄膜电路基板和形成在所述薄膜电路基板上的一薄膜电路图形,所述薄膜电路图形包括一电镀膜层图形和位于所述电镀膜层图形下方的一复合金属膜层,所述薄膜电路基板包含一正面、与所述正面相对的一反面以及连接于所述正面与所述反面之间的两两相对的四个侧壁,该些侧壁首尾相连;其特征在于:所述复合金属膜层包覆所述薄膜电路基板的所述正面、所述反面以及所述四个侧壁中的任意两个相对的侧壁,该薄膜电路正面和反面通过包覆有所述复合金属膜层的两个相对的侧壁导通,所述复合金属膜层由内至外依次为 TiW层、Au层,或TiW层、Ni层、Au层,或TaN层、TiW层、Au层,或TaN层、TiW层、Ni层、Au层。

2.如权利要求1所述的一种薄膜电路,其特征在于,所述TaN层的厚度为300~500Å。

3.如权利要求1所述的一种薄膜电路,其特征在于,所述TiW层的厚度为300~500Å。

4.如权利要求1所述的一种薄膜电路,其特征在于,所述Ni层的厚度为1.0±0.3μm。

5.如权利要求1所述的一种薄膜电路,其特征在于,所述Au层的厚度为2.0±0.5μm。

6.如权利要求1所述的薄膜电路,其特征在于,所述薄膜电路基板包括预定数量的通孔,所述通孔从所述薄膜电路基板的正面贯穿至其反面,该些通孔具有内壁,所述内壁上也附着有所述复合金属膜层。

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