[实用新型]OLED像素结构、OLED显示屏及电子设备有效
申请号: | 201822274111.8 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN209087844U | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 郑毅成;杨波 | 申请(专利权)人: | OPPO广东移动通信有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 523860 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隔离柱 基板 第二电极 第一电极 电子设备 像素层 像素点 传导 申请 相对设置 信号干扰 依次层叠 阵列设置 镂空 光信 收容 | ||
1.一种OLED像素结构,其特征在于,所述OLED像素结构包括基板以及依次层叠设置在所述基板上的第一电极、像素层和第二电极,所述像素层包括阵列设置的多个像素点,相邻的两个所述像素点之间形成间隙,所述第一电极和所述第二电极在对应所述间隙的位置上镂空设置,所述OLED像素结构还包括隔离柱,所述隔离柱部分收容在所述间隙内,所述隔离柱具有相对设置的第一端面和第二端面,所述第一端面朝向所述基板,所述第二端面背向所述基板,所述隔离柱用于传导光信号,并允许光信号从所述第一端面和所述第二端面的其中一端面传入,另一端面传出。
2.根据权利要求1所述的OLED像素结构,其特征在于,所述隔离柱包括沿所述隔离柱的周缘设置的外侧面,所述外侧面连接所述第一端面和所述第二端面,所述隔离柱的外侧面不透光,且所述隔离柱的内部以及所述第一端面和所述第二端面透光。
3.根据权利要求2所述的OLED像素结构,其特征在于,所述隔离柱的外侧面经过表面处理而不透光。
4.根据权利要求3所述的OLED像素结构,其特征在于,所述隔离柱的外侧面上的表面处理包括涂覆不透光涂层和贴覆不透光贴膜的至少一种。
5.根据权利要求2所述的OLED像素结构,其特征在于,由所述外侧面、所述第一端面和所述第二端面围绕而成的所述内部是实心的且由透光材料制成。
6.根据权利要求2所述的OLED像素结构,其特征在于,由所述外侧面、所述第一端面和所述第二端面围绕而成的所述内部的一部分是实心且由透光材料制成,另一部分是镂空结构。
7.根据权利要求1所述的OLED像素结构,其特征在于,所述隔离柱的第一端面和第二端面中的至少一个上还设置有增透膜。
8.根据权利要求1所述的OLED像素结构,其特征在于,所述隔离柱的形状是长方体、圆柱体、梯形台、圆锥台、圆台中的其中一种或者两种及以上的组合。
9.根据权利要求1所述的OLED像素结构,其特征在于,所述隔离柱的一端收容在所述间隙内,另一端位于所述基板内。
10.根据权利要求1所述的OLED像素结构,其特征在于,所述隔离柱的一端收容在所述间隙内,另一端位于所述基板远离所述第一电极的一侧。
11.根据权利要求1所述的OLED像素结构,其特征在于,所述OLED像素结构还包括绝缘层,所述绝缘层设置在所述间隙内并贴合所述基板,且位于相邻两个所述像素点之间,所述隔离柱贯穿所述绝缘层。
12.根据权利要求11所述的OLED像素结构,其特征在于,所述OLED像素结构还包括遮光层,所述遮光层设置在所述间隙内并贴合所述绝缘层且环绕所述隔离柱。
13.根据权利要求1至12任一项所述的OLED像素结构,其特征在于,所述多个像素点包括阵列设置的若干R像素点、若干G像素点和若干B像素点,所述若干R像素点、若干G像素点和若干B像素点中的相邻两个像素点之间形成所述间隙。
14.一种OLED显示屏,其特征在于,所述OLED显示屏包括OLED像素结构,所述LED像素结构为权利要求1~13任一项所述的LED像素结构,所述OLED显示屏还包括盖板,所述盖板设置在所述基板远离所述像素层的一侧上。
15.根据权利要求14所述的OLED显示屏,其特征在于,所述隔离柱的一端位于所述间隙内,另一端位于所述盖板内。
16.根据权利要求14所述的OLED显示屏,其特征在于,所述OLED显示屏还包括底板,所述底板设置在所述第二电极远离所述第一电极的一侧上,所述隔离柱贯穿所述底板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的