[实用新型]IGBT驱动电路的隔离保护电路有效

专利信息
申请号: 201822274755.7 申请日: 2018-12-31
公开(公告)号: CN209592972U 公开(公告)日: 2019-11-05
发明(设计)人: 王刚志;孙锋源 申请(专利权)人: 杭州之山智控技术有限公司
主分类号: H02H7/20 分类号: H02H7/20
代理公司: 浙江永鼎律师事务所 33233 代理人: 陆永强;张建
地址: 311122 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 引脚 驱动芯片 电阻 二极管 隔离保护电路 供电网络 光耦 本实用新型 保护功能 电容连接 电源连接 电阻连接 反向截止 光耦隔离 电容 击穿 联接 电路 电源 隔离 供电 驱动
【说明书】:

本实用新型涉及一种IGBT驱动电路的隔离保护电路。它解决了现有设计不够合理等技术问题。包括IGBT驱动芯片和光耦电源,光耦电源连接有第一二极管,第一二极管分别和IGBT驱动芯片的4引脚以及电容并联接,电容连接有第一DGND端,IGBT驱动芯片的5引脚通过第二电阻和IGBT芯片的G引脚相连,IGBT芯片的E引脚和IGBT驱动芯片的6引脚相连,第二电阻和IGBT芯片的G引脚之间与第三电阻一端相连,IGBT芯片的E引脚与IGBT驱动芯片的6引脚之间与第三电阻另一端相连,第三电阻连接有第二DGND端。优点在于:该电路由于驱动采用光耦隔离,供电采用二极管反向截止。IGBT的击穿损坏不会影响到M15V供电网络上其他器件,可以在供电网络不隔离的条件下,做到简单的保护功能。

技术领域

本实用新型属于电路设备技术领域,尤其涉及一种IGBT驱动电路的隔离保护电路。

背景技术

IGBT绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET 驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT 综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。在IGBT的使用中出现损坏时,门极被击穿会对驱动电路造成损坏。所以IGBT的驱动保护电路对整个工作系统的可靠性来说至关重要。目前,针对IGBT驱动保护电路很多,但是现有的电路过于复杂,或者成本高。

为了解决现有技术存在的问题,人们进行了长期的探索,提出了各种各样的解决方案,例如,中国专利文献公开了一种IGBT 驱动保护系统[申请号:201410712694.1]:包括IGBT驱动器和 IGBT故障反馈模块,所述IGBT驱动器包括用于短路保护的Vce 检测单元、用于过压保护的有源箝位电路和用于连接到具有数字处理器的PCB的第一连接器和用于连接到IGBT模块内置NTC热敏电阻的第二连接器。

上述方案虽然在一定程度上缓解了IGBT驱动保护效果差的问题,但是该方案依然存在着:结构过于复杂,无法在供电网络不隔离的条件下实现保护功能等问题。

发明内容

本实用新型的目的是针对上述问题,提供一种结构简单且具有保护功能的IGBT驱动电路的隔离保护电路。

为达到上述目的,本实用新型提出了一种IGBT驱动电路的隔离保护电路,包括IGBT驱动芯片和光耦电源,其特征在于,所述的光耦电源连接有第一二极管,所述的第一二极管分别和IGBT 驱动芯片的4引脚以及电容并联接,所述的电容连接有第一DGND 端,所述的IGBT驱动芯片的5引脚通过第二电阻和IGBT芯片的 G引脚相连,所述的IGBT芯片的E引脚和IGBT驱动芯片的6引脚相连,且所述的第二电阻和IGBT芯片的G引脚之间与第三电阻一端相连,所述的IGBT芯片的E引脚与IGBT驱动芯片的6引脚之间与第三电阻另一端相连,且所述的第三电阻连接有第二DGND 端。

在上述的IGBT驱动电路的隔离保护电路中,所述的IGBT驱动芯片采用ACPL-W340芯片。

在上述的IGBT驱动电路的隔离保护电路中,所述的IGBT驱动芯片的1引脚通过第一电阻和BK端相连,所述的IGBT驱动芯片的3引脚连接有第三DGND端。

在上述的IGBT驱动电路的隔离保护电路中,所述的IGBT芯片为G4BC30S芯片。

在上述的IGBT驱动电路的隔离保护电路中,所述的IGBT芯片的C引脚连接有第二二极管。

在上述的IGBT驱动电路的隔离保护电路中,所述的第一电阻的阻值大小为75Ω;所述的第二电阻的阻值大小为33Ω;所述的第三电阻的阻值大小为10KΩ。

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