[实用新型]一种MOSFET控制的多段线性功率放大供电电路有效
申请号: | 201822274827.8 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN209218047U | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 钟任生 | 申请(专利权)人: | 华羿微电子股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30;H03F3/21 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郭永丽;侯芳 |
地址: | 710018 陕西省西安市未央区*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开关电路 输出信号检测电路 放大器 线性功率放大 本实用新型 供电电路 驱动电路 电连接 多段 分段 检测输出电压 开关电源领域 功率放大器 供电 供电切换 输出电压 输出端 输入端 发热 | ||
1.一种MOSFET控制的多段线性功率放大供电电路,其特征在于,包括:
输出信号检测电路,用来检测输出电压;
驱动电路,其与所述输出信号检测电路电连接;
开关电路,其输入端与所述驱动电路连接,所述开关电路的输出端与放大器电连接;
其中,根据输出电压的大小,所述开关电路分段给所述放大器供电。
2.如权利要求1所述的MOSFET控制的多段线性功率放大供电电路,其特征在于,所述开关电路包括至少一个开关单元,所述开关单元包括第一电压模块、第二电压模块、第一隔离二极管、第二隔离二极管及第一MOSFET开关,所述第一电压模块与所述第二电压模块串联,所述第一电压模块的输出端与所述第一隔离二极管连接,所述第二电压模块的输出端与所述第二隔离二极管的输入端连接,所述第一隔离二极管的输出端与所述第一MOSFET开关的源级连接,所述第二隔离二极管的输出端与所述第一MOSFET开关的漏极连接,所述第一MOSFET开关的栅极与所述驱动电路连接;
其中,根据输出电压的大小,所述第一MOSFET开关控制所述第一电压模块和所述第二电压模块中的一个或者两个为所述放大器供电。
3.如权利要求2所述的MOSFET控制的多段线性功率放大供电电路,其特征在于,所述开关电路包括至少一个开关单元,所述开关单元包括第一电压模块、第二电压模块、第三电压模块、第一隔离二极管、第二隔离二极管、第一MOSFET开关及第二MOSFET开关,所述第一电压模块、所述第二电压模块与所述第三电压模块串联,所述第一电压模块的输出端与所述第一隔离二极管连接,所述第二电压模块的输出端与所述第二隔离二极管的输入端连接,所述第一隔离二极管的输出端与所述第一MOSFET开关的源级连接,所述第二隔离二极管的输出端与所述第一MOSFET开关的漏极连接,所述第二MOSFET开关的源级与所述第一MOSFET开关的漏极连接,所述第三电压模块的输出端与所述第二MOSFET开关的漏极连接,所述第一MOSFET开关和所述第二MOSFET开关的栅极均与所述驱动电路连接;
其中,根据输出电压的大小,所述第一MOSFET开关和所述第二MOSFET开关控制所述第一电压模块、所述第二电压模块及所述第三电压模块中的一个、两个或者三个为所述放大器供电。
4.如权利要求2所述的MOSFET控制的多段线性功率放大供电电路,其特征在于,所述输出电压包括第一输出电压和第二输出电压,所述第一输出电压的范围0-VREF1,所述第二输出电压的范围为VREF1-VREF2;
其中,输出电压为第一输出电压时,所述第一MOSFET开关关闭;输出电压为第二输出电压时,所述第一MOSFET开关导通。
5.如权利要求3所述的MOSFET控制的多段线性功率放大供电电路,其特征在于,所述输出电压包括所述输出电压包括第一输出电压、第二输出电压及第三输出电压,所述第一输出电压的范围0-VREF1,所述第二输出电压的范围为VREF1-VREF2,所述第三输出电压大于VREF2;
其中,输出电压为第一输出电压时,所述第一MOSFET开关和所述第二MOSFET开关关闭;输出电压为第二输出电压时,所述第一MOSFET开关导通,所述第二MOSFET开关关闭;输出电压为第三输出电压时,所述第一MOSFET开关和所述第二MOSFET开关同时导通。
6.如权利要求2所述的MOSFET控制的多段线性功率放大供电电路,其特征在于,所述第一电压模块和所述第二电压模块为电池。
7.如权利要求3所述的MOSFET控制的多段线性功率放大供电电路,其特征在于,所述第三电压模块为电池。
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