[实用新型]母乳分析仪有效

专利信息
申请号: 201822278763.9 申请日: 2018-12-31
公开(公告)号: CN209690285U 公开(公告)日: 2019-11-26
发明(设计)人: 郑斌;王立业 申请(专利权)人: 广州通泽医疗科技有限公司
主分类号: G01N33/04 分类号: G01N33/04;G08C17/02
代理公司: 11411 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 张清彦<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 510000 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电源模块 主控制器 电容 三极管 电阻 无线通信模块 本实用新型 数据比较器 数据存储器 二极管 微处理器 控制面板 显示模块 上位机 下位机 传感器 微处理器连接 电平转换器 电压输出端 电路结构 直流电源 分析仪 蠕动泵 母乳 电路 维护
【说明书】:

实用新型公开了一种母乳分析仪,包括上位机、下位机、传感器、蠕动泵和电源模块,上位机包括主控制器、数据存储器和数据比较器,下位机包括微处理器、显示模块、控制面板和无线通信模块,主控制器分别与数据存储器和数据比较器连接,主控制器通过无线通信模块与微处理器连接,微处理器还分别与显示模块、控制面板、传感器和电源模块连接;电源模块包括直流电源、电平转换器、第一电阻、第一二极管、第二电阻、第一三极管、第二三极管、第二电容、第三三极管、第一电容、第一MOS管、第三电阻、第三电容、第一二极管和电压输出端。本实用新型能产生多种波形、电路结构较为简单、成本较低、方便维护、电路的安全性和可靠性较高。

技术领域

本实用新型涉及医疗设备领域,特别涉及一种母乳分析仪。

背景技术

母乳喂养对婴幼儿来说是一件非常重要的事情,然而由于母亲自身情况的不同,母乳中可能缺乏某一种或几种对婴幼儿健康成长来说非常重要的微量元素,也可能在母乳中含有对婴幼儿身体成长不利的有害元素,而单凭肉眼是肯定不可能看出母乳的成分是否缺乏有利于婴幼儿成长的微量元素或者含有对婴幼儿成长有害的元素,因此需要借助设备对母乳中的成分进行分析。母乳分析仪通过对不同母亲的母乳进行分析并将分析结果根据姓名年龄等信息分类储存起来,在需要时根据母亲的信息调出来以供医生据此作为诊断标准,并对母亲提出最合适的治疗方法或改善方法,同时还可以将分析结果通过打印机打印出来留底或交给相应母亲作为其后续诊治时的根据。

然而,传统母乳分析仪的供电部分使用的元器件较多,电路结构复杂,硬件成本较高,不方便维护。另外,由于传统母乳分析仪的供电部分缺少相应的电路保护功能,例如:缺少限流保护功能,造成电路的安全性和可靠性较差。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述缺陷,提供一种电路结构较为简单、成本较低、方便维护、电路的安全性和可靠性较高的母乳分析仪。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种母乳分析仪,包括上位机、下位机、传感器、蠕动泵和电源模块,所述上位机包括主控制器、数据存储器和数据比较器,所述下位机包括微处理器、显示模块、控制面板和无线通信模块,所述主控制器分别与所述数据存储器和数据比较器连接,所述主控制器通过所述无线通信模块与所述微处理器连接,所述微处理器还分别与所述显示模块、控制面板、传感器和电源模块连接,所述蠕动泵的进口和出口通过管道连通,所述传感器安装在所述管道内;;

所述电源模块包括直流电源、电平转换器、第一电阻、第一二极管、第二电阻、第一三极管、第二三极管、第二电容、第三三极管、第一电容、第一MOS管、第三电阻、第三电容、第一二极管和电压输出端,所述直流电源分别与所述第一电阻的一端、第二电阻的一端、第一三极管的集电极、第二电容的一端、第一MOS管的源极和第三电容的一端连接,所述第三电容的另一端接地,所述第二电阻的另一端分别与所述第一三极管的基极、第二三极管的基极、第三三极管的集电极和第二电容的另一端连接,所述第一三极管的发射极分别与所述第二三极管的发射极和第一MOS管的栅极连接,所述第一电阻的另一端分别与所述第一二极管的阴极、第三三极管的基极、电平转换器的第四引脚、第五引脚和第一电容的一端连接,所述第一二极管的阳极和第一电容的另一端均接地,所述第三三极管的发射极与所述电平转换器的第六引脚连接,所述第三电阻的一端分别与所述电平转换器的第三引脚、第三三极管的基极和第一二极管的阳极连接,所述第一二极管的阴极和第一MOS管的漏极均与所述电压输出端连接,所述第一二极管的型号为S-562T。

在本实用新型所述的母乳分析仪中,所述电源模块还包括第四电阻,所述第四电阻的一端与所述第三三极管的基极连接,所述第四电阻的另一端与所述第一二极管的阳极连接,所述第四电阻的阻值为34kΩ。

在本实用新型所述的母乳分析仪中,所述电源模块还包括第四电容,所述第四电容的一端分别与所述第一三极管的发射极和第二三极管的发射极连接,所述第四电容的另一端与所述第一MOS管的栅极连接,所述第四电容的电容值为420pF。

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