[发明专利]高压碳化硅肖特基二极管倒装芯片阵列

权利要求书

1.一种碳化硅芯片阵列，包括：

a)碳化硅衬底；

b)碳化硅层，其在所述碳化硅衬底的顶部，所述碳化硅层比所述碳化硅衬底更薄，并具有更低的掺杂度；所述碳化硅层包括彼此分离的第一部分和第二部分；

c)第一金属接触件，其连接到所述碳化硅衬底；

d)两个第二金属接触件，其分别连接到所述第一部分和所述第二部分，每个所述第二金属接触件与所述第一金属接触件都形成一个半导体器件；

e)电介质层，其在所述碳化硅衬底的顶部；

其中所述第一部分和所述第二部分各自包括一个彼此相对的相对于所述碳化硅衬底而倾斜的侧面，所述第一金属接触件位于两个所述侧面之间；

其中所述电介质层完全封装住所述碳化硅层的所述第一部分和所述第二部分，所述电介质层不覆盖整个所述第一金属接触件和所述第二金属接触件，所述第一金属接触件和所述第二金属接触件从所述电介质层突出来；

其中所述第一部分和所述第二部分中的至少一个还至少部分地沿着所述侧面包含多个P-型碳化硅。

2.根据权利要求1所述的碳化硅芯片阵列，所述多个P-型碳化硅埋藏在所述侧面下方一定距离处。

3.根据权利要求1所述的碳化硅芯片阵列，其中所述多个P-型碳化硅的边缘与所述侧面基本接触。

4.根据权利要求1所述的碳化硅芯片阵列，其中所述第一金属接触件用作公共阴极，而所述第二金属接触件用作阳极。

5.根据权利要求4所述的碳化硅芯片阵列，其中所述半导体器件是二极管，使得所述碳化硅芯片阵列形成二极管对。

6.根据权利要求1所述的碳化硅芯片阵列，其中所述第一金属接触件或所述第二金属接触件是通过种子层沉积和随后电镀而形成的。

7.根据权利要求1所述的碳化硅芯片阵列，其中倾斜槽深度为2μm至300μm。

8.根据权利要求1所述的碳化硅芯片阵列，其中所述电介质层是由适于防止所述第一金属接触件与所述侧面之间反向漏电流或击穿的材料制成的；所述电介质层在所述第一金属接触件与一个所述侧面之间的厚度沿远离所述碳化硅衬底的顶部的方向增加。

9.根据权利要求1所述的碳化硅芯片阵列，其中所述第一金属接触件或所述第二金属接触件是由选自以下的金属制成的：钛(Ti)、镍(Ni)、氮化钛(TiN)、钛铝(TiAl)和铂(Pt)。

10.根据权利要求1所述的碳化硅芯片阵列，其中所述侧面与所述碳化硅衬底的顶面形成一个等于或大于45°的角度。

11.根据权利要求10所述的碳化硅芯片阵列，其中所述侧面与所述碳化硅衬底的顶面形成一个范围从45°到60°的角度。

12.根据权利要求1所述的碳化硅芯片阵列，其中所述在每个一侧面上只有两个所述的P-型碳化硅。