[发明专利]模拟缺陷样品及其制造方法、超声波探伤测定条件的调整方法、靶原材料的检查方法、以及溅射靶的制造方法

说明书

本发明的模拟缺陷样品用于调整检查靶原材料的内部缺陷的超声波探伤测定条件，前述模拟缺陷样品具有包含第1面及与该第1面相对的第2面的基板，在前述基板上形成有从前述第1面侧起具有第1深度的沉头孔，并且，在前述沉头孔的底面的一部分形成有从前述沉头孔的底面起具有第2深度的平底孔，前述平底孔的当量圆直径φ小于0.3mm时，前述平底孔的当量圆直径φ相对于前述平底孔的第2深度d的比例φ/d为0.08以上且小于0.40，前述平底孔的当量圆直径φ为0.3mm以上且小于0.4mm时，前述比例φ/d为0.1以上且小于0.60，前述平底孔的当量圆直径φ为0.4mm以上时，前述比例φ/d为0.11以上且小于1.60。

技术领域

本发明涉及用于对检查靶原材料的内部缺陷的超声波探伤测定的条件进行调整的模拟缺陷样品及其制造方法、超声波探伤条件的调整方法、靶原材料的检查方法、以及溅射靶的制造方法。

背景技术

在半导体·平板显示器制造领域等中广泛利用的溅射中，使用了溅射靶。在对溅射靶进行溅射时，若在靶原材料的内部存在例如孔隙、氧化物、异物等缺陷，则可能发生因这些缺陷而导致的异常放电。由于该异常放电，有时产生被称为“喷溅(splash)”的现象。所谓喷溅，是靶原材料的一部分发生熔融、附着于基板并发生凝固的现象，该现象可能会导致在通过溅射进行成膜而得的布线、电极间发生短路。

为了抑制靶原材料的异常放电，要求在靶原材料的内部不存在微细的缺陷(例如，φ0.2mm以上)。因此，在制造靶原材料时，需要检查靶原材料的内部有无缺陷。作为该检查方法，有使用超声波探伤头观察超声波的反射回波的变化的方法。

为了提高使用超声波探伤头进行检查时的测定精度，调整从超声波探伤头发射的超声波的焦点。为了对从超声波探伤头发射的超声波的焦点进行调整，使用模拟缺陷样品。在模拟缺陷样品中，设置有与靶原材料中的微细的缺陷为相同程度的大小的孔。而且，使从超声波探伤头发射的超声波的焦点对准该孔，测定由孔的底面反射的反射回波，并对超声波探伤的灵敏度进行调整。

专利文献1中记载了模拟缺陷样品。该模拟缺陷样品具有沉头孔、和被设置在沉头孔的底面且直径比沉头孔的直径小的平底孔。而且，测定由沉头孔的底面反射的反射回波和由平底孔的底面反射的反射回波，并对超声波探伤的灵敏度进行调整。

对于前述以往的模拟缺陷样品而言，由于被用于检查大型的工业部件的缺陷，因而平底孔的直径大。因此，将从超声波探伤头发射的超声波的焦点直接对准小的平底孔是容易的。

然而，前述以往的模拟缺陷样品并非用于检查靶原材料中的微细缺陷的模拟缺陷样品，因此，若要将该模拟缺陷样品直接应用于靶原材料，则必须缩小平底孔的直径。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：JP2010-145401号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的目的在于提供适用于对靶原材料的检查方法中的超声波探伤测定的条件进行调整的模拟缺陷样品及其制造方法、靶原材料的检查方法、以及溅射靶的制造方法。

本发明的模拟缺陷样品是用于对检查靶原材料的内部缺陷的超声波探伤测定的条件进行调整的模拟缺陷样品，

前述模拟缺陷样品具有包含第1面及与该第1面相对的第2面的基板，

在前述基板上形成有从前述第1面侧起具有第1深度的沉头孔，并且，在前述沉头孔的底面的一部分形成有从前述沉头孔的底面起具有第2深度的平底孔，

前述平底孔的当量圆直径φ小于0.3mm时，前述平底孔的当量圆直径φ相对于前述平底孔的第2深度d的比例φ/d为0.08以上且小于0.40，