[发明专利]用于改进的化学蚀刻的方法和系统在审
申请号: | 201880000807.1 | 申请日: | 2018-05-17 |
公开(公告)号: | CN109075111A | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 孙文斌;蒋阳波;汪亚军;顾立勋;徐融;吴良辉 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 钟胜光 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体供应管 液体供应管 开口 化学蚀刻 化学蚀刻装置 引入 延伸 容纳 改进 | ||
1.一种用于化学蚀刻的装置,包括:
被配置为容纳第一液体的容器;
沿所述容器的底部部分延伸的液体供应管,所述液体供应管具有沿着沿所述容器的所述底部部分的所述液体供应管的长度的第一多个开口;以及
沿所述容器的所述底部部分延伸的气体供应管,所述气体供应管具有沿着沿所述容器的所述底部部分的所述气体供应管的长度的第二多个开口,
其中,所述液体供应管被配置为经由所述第一多个开口将第二液体引入到所述第一液体中,并且所述气体供应管被配置为经由所述第二多个开口将气体引入到所述第一液体中。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述容器被配置为支撑一结构,所述结构被配置为容纳一个或多个衬底。
3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述气体包括氮气。
4.根据权利要求1所述的装置,其中,所述第一多个开口和所述第二多个开口中的每个开口具有0.10mm和0.20mm之间的直径。
5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述液体供应管和所述气体供应管彼此平行地沿所述容器的所述底部部分延伸。
6.根据权利要求5所述的装置,其中,所述第一多个开口中的每个开口在垂直于所述气体供应管和所述液体供应管中的每个的长度的方向上与所述第二多个开口的对应开口对准。
7.根据权利要求1所述的装置,还包括多个液体供应管,每个液体供应管沿所述容器的所述底部部分延伸并且彼此平行。
8.根据权利要求1所述的装置,还包括多个气体供应管,每个气体供应管沿所述容器的所述底部部分延伸并且彼此平行。
9.根据权利要求8所述的装置,其中,所述多个气体供应管在所述容器的外部组合成单个入口气体管。
10.根据权利要求8所述的装置,还包括阀,所述阀位于所述多个气体供应管中的每个上,并且所述阀被配置为独立地控制所述多个气体供应管中的每个内的气体的流速。
11.一种化学蚀刻方法,包括:
将第一液体加载到容器中;
使第二液体流过沿所述容器的底部部分延伸的液体供应管;
经由第一多个开口将所述第二液体引入到所述第一液体中,所述第一多个开口沿着沿所述容器的所述底部部分延伸的所述液体供应管的长度;
使气体流过沿所述容器的所述底部部分延伸的气体供应管;
经由第二多个开口将所述气体引入到所述第一液体中,所述第二多个开口沿着沿所述容器的所述底部部分延伸的所述气体供应管的长度。
12.根据权利要求11所述的方法,还包括将一个或多个衬底加载到结构中,并且将所述结构浸入容纳所述第一液体的所述容器中。
13.根据权利要求12所述的方法,还包括使用至少所述第二液体蚀刻所述一个或多个衬底上的材料。
14.根据权利要求11所述的方法,其中,使所述第二液体流动和使所述气体流动同时发生。
15.根据权利要求11所述的方法,其中,使所述第二液体流动包括:使所述第二液体流过沿着所述容器的所述底部部分的多个液体供应管。
16.根据权利要求11所述的方法,其中,使所述气体流动包括:使所述气体流过沿着所述容器的底部部分的多个气体供应管。
17.根据权利要求16所述的方法,还包括:使用耦合到所述多个气体供应管中的每个的阀来调节所述多个气体供应管中的每个内的所述气体的流速。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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