[发明专利]存储器件及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

衬底，所述衬底在所述衬底的表面中具有多个凹陷；

形成于所述多个凹陷中的外延生长材料；

设置于所述衬底上的第一堆叠层，所述第一堆叠层包括交替的导体层和电介质层；

设置于所述第一堆叠层之上的碳化硅层；

设置于所述碳化硅层之上的第二堆叠层，所述第二堆叠层包括交替的导体层和电介质层；

一个或多个第一结构，其相对于所述衬底的表面正交地延伸通过所述第一堆叠层并且处于设置在所述多个凹陷中的所述外延生长材料之上；以及

一个或多个第二结构，其相对于所述衬底的表面正交地延伸通过所述第二堆叠层，所述一个或多个第二结构在所述一个或多个第一结构中的对应第一结构之上大体上对准；

其中，所述碳化硅层包括在所述一个或多个第一结构之上大体上对准的一个或多个掺杂区域。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述一个或多个第一结构包括一个或多个NAND串。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述一个或多个第二结构包括一个或多个NAND串。

4.根据权利要求3所述的存储器件，其中，所述一个或多个NAND串中的每个包括外半导体沟道和一个或多个内电介质层。

5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述一个或多个内电介质层包括至少一个氧化物层和至少一个氮化物层。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述一个或多个掺杂区域掺杂有碳。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述碳化硅层具有10nm和500nm之间的厚度。

8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一堆叠层和所述第二堆叠层均包括交替的氧化物层和钨层。

9.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一堆叠层和所述第二堆叠层被布置成阶梯图案。

10.一种用于形成存储器件的方法，包括：

在衬底之上形成第一堆叠层，所述第一堆叠层具有交替的牺牲层和电介质层；

穿过所述第一堆叠层形成一个或多个第一开口，所述一个或多个第一开口在所述衬底中形成对应凹陷；

在所述对应凹陷中形成材料；

在所述一个或多个第一开口中形成一个或多个第一竖直结构；

在所述第一堆叠层之上形成碳化硅层；

在所述碳化硅层之上形成第二堆叠层，所述第二堆叠层具有交替的牺牲层和电介质层；

穿过所述第二堆叠层形成一个或多个第二开口，所述一个或多个第二开口与所述一个或多个第一竖直结构对准；以及

在所述一个或多个第二开口中形成一个或多个第二竖直结构；

其中，形成所述碳化硅层包括对所述碳化硅层的一个或多个区域进行掺杂，所述一个或多个区域在所述一个或多个第一竖直结构中的对应结构之上大体上对准。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述材料包括在所述对应凹陷中形成外延生长硅。

12.根据权利要求10所述的方法，还包括：

从所述第一堆叠层和所述第二堆叠层去除所述牺牲层，以及利用导电层替换去除的牺牲层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，去除所述牺牲层包括从所述第一堆叠层和所述第二堆叠层去除氮化物层，并且其中，所述替换包括利用钨替换所述氮化物层。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述一个或多个第一竖直结构包括形成一个或多个NAND串。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，形成所述一个或多个第二竖直结构包括形成一个或多个NAND串。