[发明专利]半导体掺杂物液体源、半导体掺杂物液体源的制造方法以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体掺杂物液体源，通过在被涂布在叠层后的多个半导体基板之间的状态下进行加热，从而在所述多个半导体基板上使掺杂物扩散，其特征在于：

混合含有：

包含所述掺杂物的化合物；

用于溶解所述化合物的有机溶剂；

溶解于所述有机溶剂，并将粘性付与所述半导体掺杂物液体源的增粘剂；以及

直径比所述掺杂物更大的无机粉末，

其中，所述增粘剂所具有的特性为：

在将所述半导体掺杂物液体源涂布在所述半导体基板的涂布面上时，通过对所述半导体掺杂物液体源所付与的所述粘性，对沿所述涂布面的面方向上相邻的所述无机粉末之间的间隔进行调整，从而调整所述掺杂物在所述涂布面上的分布，并且

通过将所述半导体掺杂物液体源加热至使其干燥的第一温度，从而使其伴随着所述有机溶剂的蒸发沉积在所述相邻的无机粉末之间，从而维持所述掺杂物在所述涂布面上的分布，

所述无机粉末所具有的特性为：

在将所述多个半导体基板叠层时，通过所述增粘剂来调整所述面方向上相邻的无机粉末之间的间隔，从而来调整所述多个半导体基板之间的间隔在所述面方向上的分布，并且

在将所述掺杂物加热至高于所述第一温度的，会生成所述掺杂物扩散供给源的第二温度后，在将通过以所述第二温度加热从而接合的所述多个半导体基板置于剥离液中时，通过维持所述多个半导体基板之间的间隔，使所述剥离液浸透在所述多个半导体基板之间。

2.根据权利要求1所述的半导体掺杂物液体源，其特征在于：

其中，相对于所述半导体掺杂物液体源的整体而言，所述无机粉末的质量浓度低于所述增粘剂的质量浓度。

3.根据权利要求1所述的半导体掺杂物液体源，其特征在于：

其中，相对于所述半导体掺杂物液体源的整体而言，所述无机粉末的质量浓度低于所述有机溶剂的质量浓度。

4.根据权利要求1所述的半导体掺杂物液体源，其特征在于：

其中，所述剥离液为氟酸。

5.根据权利要求1所述的半导体掺杂物液体源，其特征在于：

其中，所述无机粉末的主成分中含有从由Si、SiO₂、SiC以及Si₃N₄所构成的群中选取的至少一种物质。

6.根据权利要求1所述的半导体掺杂物液体源，其特征在于：

其中，所述增粘剂的主成分中含有纤维素或其衍生物。

7.根据权利要求6所述的半导体掺杂物液体源，其特征在于：

其中，所述增粘剂的主成分中含有羟丙基纤维素。

8.根据权利要求1所述的半导体掺杂物液体源，其特征在于：

其中，所述有机溶剂的主成分中含有乙醇、丙酮、或丙醇。

9.根据权利要求1所述的半导体掺杂物液体源，其特征在于：

其中，所述化合物为硼酸以及乳酸铝。

10.根据权利要求1所述的半导体掺杂物液体源，其特征在于：

其中，所述化合物为焦磷酸。

11.根据权利要求1所述的半导体掺杂物液体源，其特征在于：

其中，进一步含有水。

12.一种半导体掺杂物液体源的制造方法，用于制造权利要求1所述的半导体掺杂物液体源，其特征在于，包括：

混合液生成工序，生成混合有：包含所述掺杂物的化合物；用于溶解所述化合物的有机溶剂；以及溶解于所述有机溶剂，并将粘性付与所述半导体掺杂物液体源的增粘剂的混合液；

保存工序，将所述混合液按预先设定时间在规定的气氛下进行保存以稳定所述混合液的粘性；以及

混合工序，在完成所述保存工序后，将直径比所述掺杂物更大的无机粉末混合到所述混合液中。