[发明专利]用于三维存储器件双侧布线的阶梯结构

说明书

公开了用于三维(3D)存储器件双侧布线的阶梯结构的实施例。在示例中，3D存储器件包括衬底、设置在衬底之上并且包括交替堆叠的导体/电介质层对的存储堆叠层、以及存储器串的阵列，每个存储器串垂直延伸穿过存储堆叠层的内部区域。存储堆叠层的外部区域包括设置在衬底上的第一阶梯结构和设置在第一阶梯结构之上的第二阶梯结构。在第一阶梯结构中的沿着远离衬底的垂直方向的导体/电介质层对的第一边缘远离存储器串的阵列横向交错排列。第二阶梯结构中的沿着远离衬底的垂直方向的导体/电介质层对的第二边缘朝向存储器串的阵列横向交错排列。

背景技术

本公开的实施例涉及三维(3D)存储器件及其制造方法。

通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，将平面存储单元缩放到更小的尺寸。然而，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高。结果，平面存储单元的存储密度接近上限。

3D存储器架构可以解决平面存储单元中的密度限制。3D存储器架构包括存储阵列和用于控制进出存储阵列的信号的外围设备。

发明内容

本文公开了用于3D存储器件双侧布线的阶梯结构的实施例。

在一个示例中，3D存储器件包括衬底、设置在衬底之上并且包括交替堆叠的多个导体/电介质层对的存储堆叠层、以及每个垂直延伸穿过存储堆叠层的内部区域的存储器串的阵列。存储堆叠层的外部区域包括设置在衬底上的第一阶梯结构和设置在第一阶梯结构之上的第二阶梯结构。第一阶梯结构中的沿着远离衬底的垂直方向的多个导体/电介质层对的第一边缘远离存储器串的阵列横向交错排列。第二阶梯结构中的沿着远离衬底的垂直方向的多个导体/电介质层对的第二边缘朝向存储器串的阵列横向交错排列。

在另一个示例中，3D存储器件包括衬底、设置在衬底之上并且包括交替堆叠的多个导体/电介质层对的存储堆叠层、以及每个垂直延伸穿过存储堆叠层的内部区域的存储器串的阵列。存储堆叠层的外部区域包括设置在衬底上的第一阶梯结构和设置在衬底上的第二阶梯结构。第一阶梯结构中的沿着远离衬底的垂直方向的多个导体/电介质层对的第一边缘远离存储器串的阵列横向交错排列。第二阶梯结构中的沿着远离衬底的垂直方向的多个导体/电介质层对的第二边缘远离存储器串的阵列横向交错排列。

在又一示例中，3D存储器件包括衬底、设置在衬底之上的存储堆叠层、以及每个垂直延伸穿过存储堆叠层的存储器串的阵列。存储堆叠层包括交替堆叠的多个导体/电介质层对。每个导体/电介质层对的长度分别从中间导体/电介质层对朝向顶部导体/电介质层对和底部导体/电介质层对减小。

附图说明

并入本文中并且构成说明书的部分的附图示出了本公开的实施例，并且与说明书一起进一步用来对本公开的原理进行解释，并且使相关领域技术人员能够实施和使用本公开。

图1示出了根据一些实施例的具有用于双侧布线的阶梯结构的示例性3D存储器件的横截面。

图2示出了根据一些实施例的3D存储器件中的示例性存储堆叠层的平面图。

图3A示出了根据一些实施例的具有用于双侧布线到互连层的阶梯结构的示例性3D存储器件的横截面。

图3B示出了根据一些实施例的具有用于双侧布线到互连层的阶梯结构的另一示例性3D存储器件的横截面。

图4A-4I示出了根据一些实施例的用于形成具有用于双侧布线的阶梯结构的示例性3D存储器件的制造工艺。

图5是根据一些实施例的用于形成具有用于双侧布线的阶梯结构的示例性3D存储器件的方法的流程图。

将参考附图来描述本公开的实施例。

具体实施方式