[发明专利]忆阻器电极材料的制备方法、制备装置和忆阻器电极材料

权利要求书

1.一种忆阻器电极材料的制备方法，其特征在于，包括：

采用等离子体辅助原子层沉积工艺在衬底上沉积金属氮化物，得到金属氮化物衬底；

将所述金属氮化物衬底置于真空进行激光退火处理，得到用于制备阻变式存储器的忆阻器电极的忆阻器电极材料；

其中，所述忆阻器电极材料中的金属氮化物的性能指标满足以下条件：电阻率低于100微欧厘米，碳元素的残留低于1原子百分比，含氧量低于10原子百分比，金属和氮的原子数量的比值与1的差值的绝对值小于0.1。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

将经过激光退火处理的所述金属氮化物衬底进行清洗和干燥处理。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，激光退火所采用的激光的能量参数，使得所述激光所产生的能量大于或等于所述金属氮化物结晶所需的能量，并且小于造成所述金属氮化物材料损伤所需的能量。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

制备用于沉积所述金属氮化物的衬底。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为硅晶圆。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述采用等离子体辅助原子层沉积工艺在衬底上沉积金属氮化物，包括：

在第一阶段，向放置有所述衬底的腔室内通入金属前驱体，所述金属前驱体包括所述金属氮化物中的金属；

在第二阶段，向所述腔室内通入吹扫气，以将未吸附于所述衬底上的所述金属前驱体排出所述腔室；

在第三阶段，向所述腔室内通入反应气体，并通过等离子体辅助的方式使所述反应气体与所述衬底上吸附的所述金属前驱体发生化学反应，得到所述金属氮化物，其中，所述反应气体为含氮气体；

在第四阶段，通过吹扫气将反应的副产物和剩余的所述反应气体排出所述腔室。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述含氮气体包括以下气体中的至少一种：氮气、氨气、氮氢混合气体。

8.一种忆阻器电极材料，其特征在于，所述忆阻器电极材料是根据权利要求1至7中任一项所述的制备方法制备的。