[发明专利]钽溅射靶有效
| 申请号： | 201880001011.8 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN109154074B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 永津光太郎 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C27/02;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京尚伦律师事务所 11477 | 代理人： | 张俊国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 | ||
【权利要求书】：
1.一种钽溅射靶，其纯度为99.99质量％以上，溅射面的维式硬度的平均值为85～110Hv，并且，满足以下的(1)～(2)两个条件：
(1)对垂直于溅射面的断面进行EBSP测量时，局部角度方位差(KAM值)的平均值为0.2°～2.8°；
(2)对垂直于溅射面的断面进行EBSP测量时，在与溅射面的法线方向相对的方位差为15°以内进行取向的{100}面的取向面积比的平均值为20％以上。
2.如权利要求1所述的钽溅射靶，其特征在于，在垂直于溅射面的断面中观察的晶粒的长宽比的平均值为2.0以上。
3.如权利要求1或2所述的钽溅射靶，其特征在于，所述局部角度方位差(KAM值)的平均值为1.0°～2.5°。
4.如权利要求1或2所述的钽溅射靶，其特征在于，对垂直于溅射面的断面进行EBSP测量时，在与溅射面的法线方向相对的方位差为15°以内进行取向的{100}面的取向面积比的平均值为30％以上。
5.如权利要求3所述的钽溅射靶，其特征在于，对垂直于溅射面的断面进行EBSP测量时，在与溅射面的法线方向相对的方位差为15°以内进行取向的{100}面的取向面积比的平均值为30％以上。
6.一种成膜方法，其包括对权利要求1～5中任一项所述的钽溅射靶进行溅射。
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