[发明专利]一种太阳能异质结电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能异质结电池，其特征在于：所述太阳能异质结电池包括上下依次设置的第一电极、第一掺水透明导电层、第一硅掺杂层、第一本征硅钝化层、硅片、第二本征硅钝化层、第二硅掺杂层、第二掺水透明导电层和第二电极。

2.根据权利要求1所述的太阳能异质结电池，其特征在于：所述第一硅掺杂层为第一非晶硅掺杂层或第一微晶硅掺杂层；

和/或，

所述第一本征硅钝化层为第一本征非晶硅钝化层或第一本征微晶硅钝化层；

和/或，

所述硅片为单晶硅片或多晶硅片；

和/或，

所述第二本征硅钝化层为第二本征非晶硅钝化层或第二本征微晶硅钝化层；

和/或，

所述第二硅掺杂层为第二非晶硅掺杂层或第二微晶硅掺杂层。

3.根据权利要求1所述的太阳能异质结电池，其特征在于：所述第一掺水透明导电层和所述第二掺水透明导电层的厚度均为50-110nm。

4.根据权利要求1所述的太阳能异质结电池，其特征在于：还包括不掺水透明导电层，所述不掺水透明导电层包括第一不掺水层和第二不掺水层；

所述第一不掺水层设置在所述第一硅掺杂层与所述第一掺水透明导电层之间；

所述第二不掺水层设置在所述第二硅掺杂层与所述第二掺水透明导电层之间。

5.根据权利要求4所述的太阳能异质结电池，其特征在于：所述不掺水透明导电层还包括第三不掺水层和第四不掺水层；

所述第三不掺水层设置在所述第一掺水透明导电层与所述第一电极之间；

所述第四不掺水层设置在所述第二掺水透明导电层与所述第二电极之间。

6.根据权利要求4所述的太阳能异质结电池，其特征在于：

定义透明导电层至少包括第一掺水透明导电层、第二掺水透明导电层和不掺水透明导电层中的一种，

所述透明导电层为ITO透明导电层或AZO透明导电层。

7.根据权利要求4所述的太阳能异质结电池，其特征在于：所述第一不掺水层和所述第二不掺水层的厚度均为5-10nm。

8.根据权利要求4所述的太阳能异质结电池，其特征在于：所述第一不掺水层的方块电阻为20-80Ω/□，所述第二不掺水层的方块电阻为130-200Ω/□；

或者，

所述第一不掺水层的方块电阻为130-200Ω/□，所述第二不掺水层的方块电阻为20-80Ω/□。

9.根据权利要求5所述的太阳能异质结电池，其特征在于：所述第三不掺水层和所述第四不掺水层的厚度均为5-10nm，方块电阻均为20-80Ω/□。

10.根据权利要求2所述的太阳能异质结电池，其特征在于：所述单晶硅片为n型单晶硅片，厚度为50-300μm。

11.根据权利要求2所述的太阳能异质结电池，其特征在于：所述第一本征非晶硅钝化层和所述第二本征非晶硅钝化层的厚度均为1-20nm。

12.根据权利要求2所述的太阳能异质结电池，其特征在于：所述第一非晶硅掺杂层和所述第二非晶硅掺杂层的厚度均为3-20nm；

和/或，

所述第一非晶硅掺杂层为P型非晶硅掺杂层，所述第二非晶硅掺杂层为N型非晶硅掺杂层；

和/或，

所述第一非晶硅掺杂层为N型非晶硅掺杂层，所述第二非晶硅掺杂层为P型非晶硅掺杂层。