[发明专利]太阳能电池和其上的复合电极及其制备方法有效
申请号: | 201880001492.2 | 申请日: | 2018-06-22 |
公开(公告)号: | CN110114889B | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
发明(设计)人: | 杨苗;郁操;徐希翔 | 申请(专利权)人: | 德运创鑫(北京)科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人: | 张丽颖 |
地址: | 101102 北京市通州区中关村科技园区通州园金*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 复合 电极 及其 制备 方法 | ||
提供了一种太阳能电池上复合电极的制备方法。复合电极的制备方法包括在电池芯片(1)上沉积金属接触层(2);在金属接触层上形成电极(3);从而制备得到包括金属接触层和电极的复合电极。还提供了一种太阳能电池上的复合电极和太阳能电池。
本申请主张申请日为2017年11月15日,在中国提交的申请号为201711132784.3的专利申请的优先权,其全部内容都引用在本申请中。
技术领域
本申请涉及但不限于太阳能电池技术领域。
背景技术
太阳能电池具有较强的发电性能。太阳能电池通过其上的电极输出电流,而常见的电极引出方式是直接在电池芯片上丝网印刷银浆。为了兼顾上一工艺,目前的银浆采用的都是低温银浆。
发明概述
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本申请的发明人发现,低温银浆往往接触电阻较大,同时附着力也难以兼顾。
本申请实施例提供一种太阳能电池上复合电极的制备方法,用以提升复合电极在电池芯片上的附着力,改善复合电极与电池芯片的接触电阻。
本申请实施例提供了一种太阳能电池上复合电极的制备方法,包括如下步骤:在电池芯片上沉积金属接触层;在所述金属接触层上形成电极;从而制备得到包括所述金属接触层和所述电极的所述复合电极。
在一些实施方式中,在所述电池芯片上沉积金属接触层的步骤可以包括:在所述电池芯片的透明导电层上沉积所述金属接触层。
在一些实施方式中,在所述电池芯片的透明导电层上沉积所述金属接触层的步骤可以包括:在晶体硅层的正面和背面分别沉积本征层;在所述晶体硅层的正面和背面的所述本征层上分别沉积掺杂层;在所述晶体硅层的正面和背面的所述掺杂层上分别沉积透明导电层;在所述晶体硅层的正面和/或背面的所述透明导电层上沉积金属接触层。
在一些实施方式中,所述太阳能电池可以为硅基异质结太阳能电池。
在一些实施方式中,所述方法还可以包括:在所述金属接触层上形成电极之后,去除未被所述电极覆盖部分的所述金属接触层。
在一些实施方式中,在所述金属接触层上形成电极的步骤可以包括:在所述金属接触层上通过丝网印刷工艺形成所述电极。
在一些实施方式中,去除未被所述电极覆盖部分的所述金属接触层的步骤可以包括:采用化学腐蚀去除未被所述电极覆盖部分的所述金属接触层。
在一些实施方式中,所述方法还可以包括:在去除未被所述电极覆盖部分的所述金属接触层之前,干燥所述电极。
在一些实施方式中,所述方法还可以包括:在去除未被所述电极覆盖部分的所述金属接触层之前,对所述电极进行烘干处理。
在一些实施方式中,所述烘干温度可以为从150℃到250℃。
在一些实施方式中,所述金属接触层的厚度可以为从2nm到9nm。
在一些实施方式中,所述金属接触层可以选自银、镍和铜中的任意一种。
在一些实施方式中,所述电极可以包括金属银与树脂。
在一些实施方式中,在所述电池芯片上沉积金属接触层的步骤可以包括:采用物理气相沉积工艺沉积所述金属接触层。
在一些实施方式中,在所述电池芯片上沉积金属接触层的步骤可以包括:采用电镀法沉积所述金属接触层。
在一些实施方式中,所述方法还可以包括:在所述电池芯片上沉积金属接触层之后,修复所述金属接触层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的