[发明专利]使用背面补偿结构的晶圆平整度控制

权利要求书

1.一种用于控制晶圆平整度的方法，包括：

获得指示晶圆在第一方向和第二方向之间的平整度差异的模型，所述平整度差异与所述晶圆的正面上的多个半导体器件的多个制作阶段中的一个制作阶段相关联；

基于所述模型确定用于减小所述平整度差异的补偿图案；以及

在所述多个制作阶段中的所述一个制作阶段，基于所述补偿图案在所述晶圆的与所述正面相对的背面上形成补偿结构，以减小所述平整度差异。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述平整度差异包括晶圆弯曲度的差异。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一方向垂直于所述第二方向。

4.根据权利要求1-3中的任何一项所述的方法，其中，所述多个半导体器件包括多个三维(3D)存储器件。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，

所述3D存储器件中的每者包括标称地相互平行的多个缝隙结构；并且

所述第一方向与所述缝隙结构延伸的方向相同。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述补偿结构包括多个条带，每个条带在所述第一方向上延伸。

7.根据权利要求1-6中的任何一项所述的方法，其中，获得所述模型包括：

基于所述半导体器件的设计以及所述半导体器件的所述制作阶段获得指示所述平整度差异的初始模型；

获得所述多个制作阶段中的所述一个制作阶段的所述平整度差异的测量结果；以及

基于所述测量结果对所述初始模型进行调整，以获得所述模型。

8.根据权利要求1-7中的任何一项所述的方法，其中，所述补偿图案与所述补偿结构的布局、厚度和材料的至少其中之一相关联。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，与所述补偿结构相关联的所述材料是基于所述模型和所述多个制作阶段中的所述一个制作阶段确定的。

10.根据权利要求1-9中的任何一项所述的方法，还包括从所述晶圆的所述背面去除所述补偿结构的至少部分。

11.一种用于形成半导体结构的方法，包括：

在晶圆的正面上形成多个半导体结构；

在所述晶圆的与所述正面相对的背面上沉积膜；以及

使所述晶圆的所述背面上的沉积膜图案化，以形成部分覆盖所述晶圆的所述背面的补偿结构，从而减小所述晶圆在第一方向和第二方向之间的平整度差异。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述补偿结构的厚度不大于大约5μm。

13.根据权利要求11或12所述的方法，其中，所述补偿结构的布局包括平行直线、平行波浪线、辐射条带和点阵的至少其中之一。

14.根据权利要求11-13中的任何一项所述的方法，其中，所述补偿结构的材料包括氧化硅、氮化硅、多晶硅和有机材料的至少其中之一。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，基于形成于所述晶圆的所述正面上的所述多个半导体结构确定所述补偿结构的布局、厚度和材料的至少其中之一。

16.根据权利要求11-15中的任何一项所述的方法，其中，所述补偿结构的应力在所述第一方向和所述第二方向上是不均匀的。

17.根据权利要求11-16中的任何一项所述的方法，其中，所述平整度差异包括晶圆弯曲度的差异。

18.根据权利要求11-17中的任何一项所述的方法，其中，所述第一方向垂直于所述第二方向。