[发明专利]具有低电压开关的多模式可配置的收发器及其配置方法

权利要求书

1.一种可配置的射频RF收发器，包括：

射频RF接收路径，所述RF接收路径具有第一开关，并被配置为在所述第一开关处于断开位置时接收RF输入信号；

第一RF发射路径，所述第一RF发射路径具有第二开关，并被配置为在所述第二开关处于闭合位置且所述第一开关处于闭合位置时提供第一输出信号；和

第二RF发射路径，所述第二RF发射路径具有第三开关，并被配置为在所述第三开关处于闭合位置、所述第一开关处于闭合位置且所述第二开关处于断开位置时提供第二输出信号，所述第二RF发射路径包括具有初级绕组和次级绕组的平衡-不平衡变换器，所述次级绕组具有通过电容器与所述第一RF发射路径相耦合的第一端以及通过所述第三开关与地电位相耦合的第二端；

其中，所述第一开关、所述第二开关和所述第三开关与所述RF接收路径、所述第一RF发射路径和所述第二RF发射路径一起集成在同一集成电路内。

2.根据权利要求1所述的RF收发器，还包括：

逻辑电路，所述逻辑电路被配置为产生多个控制信号，用于将所述第一开关、所述第二开关和所述第三开关设置在相应的闭合位置和断开位置。

3.根据权利要求2所述的RF收发器，其中，所述多个控制信号基于所述RF收发器的操作模式选择所述RF接收路径、所述第一RF发射路径和所述第二RF发射路径。

4.根据权利要求2所述的RF收发器，其中：

所述RF接收路径由第一电源供电；

所述第一RF发射路径由第二电源供电；

所述第二RF发射路径由第三电源供电；

当所述RF接收路径被选择时，所述多个控制信号断开所述第一RF发射路径的所述第二电源和所述第二RF发射路径的所述第三电源；

当所述第一RF发射路径被选择时，所述多个控制信号断开所述RF接收路径的所述第一电源和所述第二RF发射路径的所述第三电源；和

当所述第二RF发射路径被选择时，所述多个控制信号断开所述RF接收路径的所述第一电源和所述第一RF发射路径的所述第二电源，

其中，所述第一电源的电压电位低于所述第二电源的电压电位，所述第二电源的所述电压电位低于所述第三电源的电压电位。

5.根据权利要求1所述的RF收发器，其中，所述第一RF发射路径包括低功率放大器，所述低功率放大器具有被配置为接收第一信号的输入端和被配置为输出放大的第一单端信号的输出端。

6.根据权利要求1所述的RF收发器，其中，所述第二RF发射路径包括：

高功率放大器，所述高功率放大器具有被配置为接收第二信号的输入端和被配置为输出第二放大的差分信号至所述平衡-不平衡变换器的输出端，所述平衡-不平衡变换器将所述第二放大的差分信号变换为放大的第二单端信号。

7.根据权利要求6所述的RF收发器，其中，所述平衡-不平衡变换器的所述初级绕组与所述高功率放大器的所述输出端相耦合，并且所述初级绕组包括与所述高功率放大器的电源相耦合的抽头。

8.根据权利要求1所述的RF收发器，其中，所述RF接收路径包括低噪声放大器LNA，所述低噪声放大器具有通过匹配电感器与所述次级绕组的第一端相耦合的输入端。

9.根据权利要求8所述的RF收发器，其中，所述匹配电感器是所述平衡-不平衡变换器的一部分。

10.根据权利要求1所述的RF收发器，其中，所述第一开关、所述第二开关和所述第三开关均是所述集成电路的核心区域中的低压n型金属氧化物半导体场效应晶体管nMOSFET。