[发明专利]多堆叠层三维存储器件

权利要求书

1.一种3D存储器件，包括：

第一器件芯片，包括：

外围器件；

存储堆叠层；

垂直延伸穿过所述第一器件芯片的所述存储堆叠层的第一触点；以及

第一互连层；

第二器件芯片，包括：

衬底；

分别设置在所述衬底的两个相对侧面的两个存储堆叠层，其中，所述两个相对侧面包括上侧和下侧；

两个存储器串，每个所述存储器串垂直延伸穿过所述两个存储堆叠层中的一个，

垂直延伸穿过所述第二器件芯片的所述衬底和所述两个存储堆叠层的第二触点；以及

第二互连层，其中，所述第一互连层和所述第二互连层中的每一个包括电连接所述第一器件芯片的第一触点和所述第二器件芯片的第二触点的触点；以及

键合界面，所述键合界面垂直形成在所述第一器件芯片的所述第一互连层和所述第二器件芯片的所述第二互连层之间。

2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中所述第一器件芯片还包括存储堆叠层和垂直延伸穿过所述存储堆叠层的存储器串。

3.根据权利要求2所述的3D存储器件，其中所述第一器件芯片的所述存储堆叠层设置在所述外围器件旁边、下方或上方。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的3D存储器件，其中，所述第一互连层包括在所述键合界面处的多个键合触点和键合电介质。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的3D存储器件，其中，所述第二器件芯片的所述两个存储堆叠层中的每一个包括朝向所述存储堆叠层的中心倾斜的阶梯结构。

6.根据权利要求5所述的3D存储器件，其中所述第二器件芯片还包括两个字线触点，每个所述字线触点在相应的阶梯结构处与所述两个存储堆叠层中的一个接触。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的3D存储器件，其中所述第二互连层包括在所述键合界面处的多个键合触点和键合电介质。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的3D存储器件，其中，所述第二器件芯片还包括设置在所述衬底的与所述第二互连层相对的一侧的另一第二互连层。

9.根据权利要求8所述的3D存储器件，还包括：

第三器件芯片，包括：

存储堆叠层；

垂直延伸穿过所述存储堆叠层的存储器串；以及

第三互连层；以及

第二键合界面，所述第二键合界面垂直形成在所述第三器件芯片的所述第三互连层和所述第二器件芯片的所述另一第二互连层之间。

10.根据权利要求9所述的3D存储器件，还包括选择线，所述选择线被配置为在所述第三器件芯片中的存储器串和所述第二器件芯片中的两个存储器串中的一个之间进行选择。