[发明专利]显示基板、显示设备和制造显示基板的方法在审
申请号: | 201880002088.7 | 申请日: | 2018-11-20 |
公开(公告)号: | CN111937153A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 王玲;董学;林奕呈;盖翠丽;徐攀 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;姜春咸 |
地址: | 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 制造 方法 | ||
1.一种显示基板,包括:
基底基板;以及
多个发光亮度值检测器,其位于所述基底基板上;
其中,所述多个发光亮度值检测器中的每一个包括:
第一薄膜晶体管;
保护层,其位于所述第一薄膜晶体管的远离所述基底基板的一侧;以及
光电传感器,其与所述第一薄膜晶体管电连接并且构造为检测发光亮度值;
其中,所述保护层在所述基底基板上的正投影覆盖所述第一薄膜晶体管的至少沟道部分在所述基底基板上的正投影。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述保护层在所述基底基板上的正投影与所述第一薄膜晶体管的源极和漏极在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
3.根据权利要求1所述的显示基板,还包括:接触电极,所述接触电极连接所述光电传感器和所述第一薄膜晶体管的源极;
其中,所述接触电极位于所述光电传感器和所述基底基板之间;并且
所述接触电极在所述基底基板上的正投影覆盖所述光电传感器在所述基底基板上的正投影。
4.根据权利要求1所述的基底基板,其中,所述第一薄膜晶体管包括位于所述光电传感器和所述基底基板之间的源极;并且
所述源极在所述基底基板上的正投影覆盖所述光电传感器在所述基底基板上的正投影。
5.根据权利要求1所述的显示基板,还包括;
钝化层,其位于所述保护层和所述第一薄膜晶体管之间;
接触电极,其连接所述光电传感器和所述第一薄膜晶体管的源极;以及
第一过孔,其贯穿所述钝化层;
其中,所述接触电极通过所述第一过孔与所述第一薄膜晶体管的源极电连接。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其中,所述保护层和所述接触电极位于同一层并且包括相同导电材料;并且
所述保护层和所述接触电极在所述钝化层上彼此间隔开。
7.根据权利要求5所述的显示基板,还包括:贯穿所述钝化层的第二过孔;
其中,所述保护层通过所述第二过孔与所述第一薄膜晶体管的栅极电连接。
8.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述保护层与所述第一薄膜晶体管的栅极电连接。
9.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述显示基板具有多个子像素区域;
其中,所述多个发光亮度值检测器分别位于所述多个子像素区域中;
其中,所述显示基板在所述多个子像素区域中的每一个中还包括:
发光元件;以及
第二薄膜晶体管,其构造为驱动所述发光元件发光。
10.根据权利要求9所述的显示基板,还包括;
多条读取线,用于分别传输由所述多个发光亮度值检测器检测到的信号;以及
补偿电路,其连接至所述多条读取线,并且构造为将所述多个子像素区域的发光亮度值调整至目标亮度值。
11.根据权利要求10所述的显示基板,还包括:公共电极,其构造为被提供有公共电压信号;
其中,所述光电传感器包括:第一极性区域,其与所述公共电极连接;第二极性区域,其与所述第一薄膜晶体管的源极连接;以及二极管结,其连接所述第一极性区域和所述第二极性区域;并且
所述第一薄膜晶体管包括:源极,其与所述光电传感器的第二极性区域连接;以及,漏极,其与所述多条读取线中的对应一条连接,所述多条读取线构造为传输由所述多个发光亮度值检测器检测到的信号。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的显示基板,其中,所述保护层由导电材料制成。
13.一种显示设备,包括权利要求1至12中任一项所述的显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的