[发明专利]超声换能器及其制造方法

权利要求书

1.一种超声换能器，其特征在于，包括：依次层叠设置的衬底(106)、下电极(105)、支撑块(103)、振膜层(102)、上电极(101)；其中，所述衬底(106)的靠近振膜层(102)的一面上设置有凹槽，所述下电极(105)填充于所述凹槽内；所述支撑块(103)将所述振膜层(102)和所述衬底(106)之间的空间分隔成密闭的空腔(104)，且所述空腔(104)与所述下电极(105)的位置相对应。

2.根据权利要求1所述的超声换能器，其特征在于，所述上电极(101)为沉积在所述振膜层(102)上的导电层，所述导电层的材料包括：铝、铜、银中的任一种。

3.根据权利要求1所述的超声换能器，其特征在于，所述振膜层(102)的材料包括：氮化物，或者氧化物。

4.根据权利要求1所述的超声换能器，其特征在于，所述凹槽的数量为2个及以上，每个凹槽中填充有下电极(105)。

5.根据权利要求4所述的超声换能器，其特征在于，所述空腔(104)的数量为2个及以上，每个空腔与至少一个所述下电极(105)的位置对应。

6.根据权利要求1所述的超声换能器，其特征在于，所述下电极的材料包括：铝、铜、银中的任一种。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的超声换能器，其特征在于，所述衬底(106)为硅晶圆，所述硅晶圆上设置有控制电路，所述控制电路与所述下电极(105)电连接，所述上电极(101)接地。

8.一种超声换能器的制造方法，其特征在于，用于制作权利要求1-7中任一项所述的超声换能器；所述方法包括：

在第一衬底上沉积上电极；

在所述上电极上沉积振膜层；

在所述振膜层上沉积支撑层，并对所述支撑层进行图形化处理，得到对应的支撑块；

在第二衬底的第一表面上开设凹槽；

在所述凹槽内填充金属层，所述金属层构成下电极和键合区；

将所述第二衬底的第一表面的键合区与所述支撑块键合；

去除第一衬底，得到所述超声换能器。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述上电极为整面电极，所述上电极的材料包括：铝、铜、银中的任一种。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述上电极上沉积振膜层，包括：

在上电极上沉积预设厚度的氮化硅层，所述氮化硅层构成所述振膜层；沉积方式包括：化学气相沉积、蒸镀、溅射。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在第二衬底的第一表面上开设凹槽，包括：

通过光刻和刻蚀工艺在第二衬底的第一表面上开设多个凹槽。

12.根据权利要求8-11任一项所述的方法，其特征在于，在所述凹槽内填充金属层，所述金属层构成下电极和键合区，包括：

通电镀或者溅镀工艺，在所述凹槽内填充金属层，所述金属层构成下电极和键合区，所述金属层的材料包括：铝、铜、银中的任一种。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，将所述第二衬底的第一表面的键合区与所述支撑块键合，包括：

将所述第二衬底的键合区的金属层与所述支撑块形成共晶键合。