[发明专利]可更换和/或可折叠的用于等离子鞘调整的并入边缘环定位和定心功能的边缘环组件在审
申请号: | 201880002160.6 | 申请日: | 2018-09-10 |
公开(公告)号: | CN111052344A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 亚历杭德罗·桑切斯;格雷森·福特;达雷尔·埃利希;阿拉温德·阿勒万;凯文·莱翁;安东尼·孔特雷拉斯;韩祝民;拉斐尔·卡塞斯;乔安娜·吴 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/68 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;邱晓敏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 更换 可折叠 用于 等离子 调整 并入 边缘 定位 定心 功能 组件 | ||
1.一种用于衬底支撑件的第一边缘环,所述第一边缘环包括:
环形主体,其尺寸和形状设计成围绕所述衬底支撑件的上部,其中所述环形主体限定:
上表面,
下表面,
径向内表面,和
径向外表面;和
一个或多个升降销接收元件,其沿着所述环形主体的下表面设置,并且其尺寸和形状设计成接收三个或更多个升降销的相应顶端并提供与所述三个或更多个升降销的相应顶端的运动耦合。
2.根据权利要求1所述的第一边缘环,其包括沿着所述环形主体的下表面设置的三个升降销接收元件。
3.根据权利要求1所述的第一边缘环,其中:
所述环形主体包括内径;并且
所述内径大于所述衬底支撑件的顶部的外径。
4.根据权利要求1所述的第一边缘环,其中所述环形主体至少部分地由非挥发性材料形成。
5.根据权利要求1所述的第一边缘环,其中所述一个或多个升降销接收元件包括至少一个凹槽。
6.根据权利要求1所述的第一边缘环,其中所述一个或多个升降销接收元件包括至少一个“V”形凹槽。
7.根据权利要求6所述的第一边缘环,其中,所述至少一个“V”形凹槽包括彼此相对成60°-120°的壁。
8.根据权利要求6所述的第一边缘环,其中所述至少一个“V”形凹槽包括彼此相对成45°的壁。
9.根据权利要求1所述的第一边缘环,其中:
所述一个或多个升降销接收元件包括至少一个具有圆形顶点部分的凹槽;和
所述圆形顶点部分具有在0.018英寸和0.035英寸之间的半径。
10.根据权利要求1所述的第一边缘环,其中所述一个或多个升降销接收元件包括圆形凹槽、具有半圆锥形端部的凹槽或具有四分之一半球形端部的凹槽中的至少一种。
11.根据权利要求1所述的第一边缘环,其中所述一个或多个升降销接收元件包括至少一个凹穴。
12.根据权利要求1所述的第一边缘环,其中所述一个或多个升降销接收元件包括倒角侧壁。
13.根据权利要求1所述的第一边缘环,其中所述一个或多个升降销接收元件中的至少一个包括倾斜部分,以将所述三个或更多个升降销中的一个引导到所述一个或多个升降销接收元件中的至少一个中。
14.根据权利要求1所述的第一边缘环,其中所述一个或多个升降销接收元件包括:
具有凹槽的第一升降接收元件;和
具有凹穴的第二升降销接收元件。
15.根据权利要求1所述的第一边缘环,其中所述一个或多个升降销接收元件包括至少一个凹槽,所述至少一个凹槽具有平行的侧壁和平坦或圆形的顶壁。
16.根据权利要求1所述的第一边缘环,其中所述一个或多个升降销接收元件仅包括三个升降销接收元件。
17.根据权利要求1所述的第一边缘环,其中所述一个或多个升降销接收元件包括设置在所述环形主体的底部周边处的至少一个凹口。
18.根据权利要求17所述的第一边缘环,其中所述至少一个凹口包括:
'V'形凹槽和半圆锥形端部;或者
四分之一的半球形端部。
19.根据权利要求1所述的第一边缘环,其中所述一个或多个升降销接收元件相对于所述环形主体的中心间隔120°。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造