[发明专利]SiC单晶体的品质评价方法及利用该方法的碳化硅单晶锭的制造方法

权利要求书

1.一种SiC单晶体的品质评价方法，是对由圆板状的碳化硅单晶形成的SiC单晶体的品质进行评价的方法，包括：

在预定衍射面对所述SiC单晶体的主面进行X射线摇摆曲线测定，在将呈现衍射峰时的X射线的入射方向与所述主面所成的角度设为Ω时，求出在所述主面的直径上的多个测定点P_n处的该角度Ω，算出这些测定点P_n中的某基准测定点P₀处的角度Ω_O和除此之外的测定点P_n处的角度Ω_n之差(Ω_n-Ω_O)，作为各个峰位移值，

求出所述主面的直径上的测定点P_n的位置(X)与所述峰位移值(Y)的关系作为第1多项式，对该第1多项式进行一阶微分求出第2多项式，基于这些多项式对所述SiC单晶体的品质进行评价，

在将所述第2多项式表示为Y轴表示所述第1多项式的斜率、X轴表示所述SiC单晶体的主面的直径上的测定点P_n的位置的曲线图时，通过判别该第2多项式的曲线图是否通过Y＝0来对品质进行评价。

2.根据权利要求1所述的SiC单晶体的品质评价方法，

通过判别所述第2多项式的曲线图是否通过Y＝0两次来对品质进行评价。

3.根据权利要求1或2所述的SiC单晶体的品质评价方法，

通过判断所述第1多项式的峰位移值(Y)的函数是否有极值来对品质进行评价。

4.根据权利要求1或2所述的SiC单晶体的品质评价方法，

在将所述第2多项式表示为Y轴表示所述第1多项式的斜率、X轴表示所述SiC单晶体的主面的直径上的测定点的位置的曲线图时，根据所述斜率(Y)的最大值与最小值之差来对品质进行评价。

5.根据权利要求1或2所述的SiC单晶体的品质评价方法，

所述第1多项式的次数为4次以上。

6.根据权利要求1或2所述的SiC单晶体的品质评价方法，

所述基准测定点P₀是所述SiC单晶体的主面的中心点。

7.根据权利要求1或2所述的SiC单晶体的品质评价方法，

所述SiC单晶体的位错是基底面位错。

8.一种碳化硅单晶锭的制造方法，是通过升华再结晶法使碳化硅单晶在籽晶上生长的碳化硅单晶锭的制造方法，包括：

预先在预定衍射面对由圆板状的碳化硅单晶形成的SiC单晶体的主面进行X射线摇摆曲线测定，在将呈现衍射峰时的X射线的入射方向与所述主面所成的角度设为Ω时，求出在所述主面的直径上的多个测定点P_n处的该角度Ω，算出这些测定点P_n中的某基准测定点P₀处的角度Ω_O和除此之外的测定点P_n处的角度Ω_n之差(Ω_n-Ω_O)，作为各个峰位移值，

求出所述主面的直径上的测定点P_n的位置(X)与所述峰位移值(Y)的关系作为第1多项式，对该第1多项式进行一阶微分求出第2多项式，在将所获得的第2多项式表示为Y轴表示所述第1多项式的斜率、X轴表示所述SiC单晶体的主面的直径上的测定点的位置的曲线图时，使用该曲线图不两次以上通过Y＝0的SiC单晶体作为籽晶。