[发明专利]非易失性存储装置、以及驱动方法有效
申请号: | 201880002572.X | 申请日: | 2018-06-26 |
公开(公告)号: | CN109791791B | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 安原隆太郎 | 申请(专利权)人: | 新唐科技日本株式会社 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 吕文卓 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失性 存储 装置 以及 驱动 方法 | ||
1.一种非易失性存储装置,
所述非易失性存储装置具备:
电阻变化元件,具备第一电极、第二电极、以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的电阻变化层,在该电阻变化层中,按照被施加到所述第一电极与所述第二电极之间的电压脉冲,电阻值发生变化;
电压脉冲施加电路,将电压脉冲施加到所述第一电极与所述第二电极之间;以及
控制电路,对所述电压脉冲施加电路进行控制,
所述电压脉冲施加电路执行高电阻化过程以及低电阻化过程,
在所述高电阻化过程中,通过将第一极性的第一电压脉冲施加到所述第一电极与所述第二电极之间,从而使所述电阻变化层从低电阻状态向高电阻状态变化,所述低电阻状态示出第一逻辑信息,所述高电阻状态示出与所述第一逻辑信息不同的第二逻辑信息,且所述高电阻状态的电阻值比所述低电阻状态高,
在所述低电阻化过程中,通过将与所述第一极性为不同极性的第二极性的第二电压脉冲施加到所述第一电极与所述第二电极之间,从而使所述电阻变化层从所述高电阻状态向所述低电阻状态变化,
所述控制电路接受来自外部的指令,
读出所述电阻变化元件的电阻状态,在读出的电阻状态为所述高电阻状态的情况下,对所述电压脉冲施加电路进行控制,以向所述第一电极与所述第二电极之间施加能量比所述第一电压脉冲大的、所述第一极性的第一追加电压脉冲,在读出的电阻状态为所述低电阻状态的情况下,对所述电压脉冲施加电路进行控制,以向所述第一电极与所述第二电极之间施加能量比所述第二电压脉冲大的、所述第二极性的第二追加电压脉冲。
2.如权利要求1所述的非易失性存储装置,
所述控制电路包括处理器和存储器,通过所述处理器执行被存储在所述存储器的程序,来对所述电压脉冲施加电路进行控制。
3.如权利要求1或2所述的非易失性存储装置,
所述来自外部的指令是用户的指令,示出以比目前更长的期间来使所述电阻变化层的电阻状态稳定。
4.一种驱动方法,对电阻变化元件进行驱动,
所述电阻变化元件,具备第一电极、第二电极、以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的电阻变化层,在该电阻变化层中,按照被施加到所述第一电极与所述第二电极之间的电压脉冲,电阻值发生变化,
在该驱动方法中包括:
高电阻化过程,通过将第一极性的第一电压脉冲施加到所述第一电极与所述第二电极之间,从而使所述电阻变化层从低电阻状态向高电阻状态变化,所述低电阻状态示出第一逻辑信息,所述高电阻状态示出与所述第一逻辑信息不同的第二逻辑信息,且所述高电阻状态的电阻值比所述低电阻状态高,
低电阻化过程,通过将与所述第一极性为不同极性的第二极性的第二电压脉冲施加到所述第一电极与所述第二电极之间,从而使所述电阻变化层从所述高电阻状态向所述低电阻状态变化,
读出过程,接受来自外部的指令,读出所述电阻变化元件的电阻状态;以及
追加过程,在由所述读出过程读出的电阻状态为所述高电阻状态的情况下,向所述第一电极与所述第二电极之间施加能量比所述第一电压脉冲大的、所述第一极性的第一追加电压脉冲,在由所述读出过程读出的电阻状态为所述低电阻状态的情况下,向所述第一电极与所述第二电极之间施加能量比所述第二电压脉冲大的、所述第二极性的第二追加电压脉冲。
5.如权利要求4所述的驱动方法,
所述第一追加电压脉冲是,在所述电阻变化层流动的电流成为比施加所述第一电压脉冲时的电流大的电压脉冲。
6.如权利要求4或5所述的驱动方法,
所述第二追加电压脉冲是,在所述电阻变化层流动的电流成为比施加所述第二电压脉冲时的电流大的电压脉冲。
7.如权利要求4所述的驱动方法,
所述第一追加电压脉冲是,被施加到所述电阻变化层的电压的绝对值成为比所述第一电压脉冲大的电压脉冲。
8.如权利要求4或7所述的驱动方法,
所述第二追加电压脉冲是,被施加到所述电阻变化层的电压的绝对值成为比所述第二电压脉冲大的电压脉冲。
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