[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第一导电型的半导体基板；

第一导电型的漂移层，其设置于所述半导体基板；以及

缓冲区，其设置于所述漂移层，具有第一导电型的掺杂浓度的多个峰，

所述缓冲区具有：

第一峰，其具有预先确定的掺杂浓度，且在所述多个峰中设置于最靠近所述半导体基板的背面侧的位置；

高浓度峰，其具有比所述第一峰的掺杂浓度高的掺杂浓度，设置于比所述第一峰靠近所述半导体基板的上表面侧的位置；以及

低浓度峰，其具有比所述高浓度峰的掺杂浓度低的掺杂浓度，设置于比所述高浓度峰靠近所述半导体基板的上表面侧的位置，

所述高浓度峰是所述多个峰中的从所述半导体基板的背面侧起设置在所述第一峰之后的第二峰，

所述第一峰和所述第二峰之间的掺杂浓度的谷的掺杂浓度N_v12与所述第一峰的掺杂浓度N₁之比N₁/N_v12高于所述第二峰的掺杂浓度N₂与所述第一峰的掺杂浓度N₁之比N₂/N₁。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二峰是所述多个峰中的浓度最高的峰。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二峰设置于从所述半导体基板的背面起算为1μm以上且12μm以下的位置。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二峰设置于从所述半导体基板的背面起算为1μm以上且12μm以下的位置。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一峰与所述第二峰之间的掺杂浓度的谷的掺杂浓度为所述半导体基板的基板浓度的10倍以上。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一峰的掺杂浓度N₁与所述第二峰的掺杂浓度N₂的掺杂浓度比例N₂/N₁大于1且为100以下。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一峰是所述多个峰中的所述第二峰的下一位次的高浓度的峰。

8.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基板在所述多个峰的峰彼此之间具有多个谷，所述多个谷的掺杂浓度具有从所述背面侧朝向所述上表面侧依次降低的掺杂浓度分布。

9.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有晶体管部和二极管部，

所述二极管部在比所述第一峰靠近所述半导体基板的背面侧的位置具有与所述第一导电型不同的第二导电型的浮置层。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置在所述晶体管部的背面具有第二导电型的集电区，

从所述集电区到所述第二峰为止的积分浓度比所述半导体基板的临界积分浓度的一半高。

11.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述缓冲区还具备第三峰，所述第三峰是在所述多个峰中从所述半导体基板的背面侧起设置于所述第二峰之后的峰，

所述第三峰的掺杂浓度N₃小于所述第一峰与所述第二峰之间的掺杂浓度的谷的掺杂浓度N_v12。

12.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第二峰与所述第一峰在深度方向上的距离X₂-X₁小于所述第一峰的从所述半导体基板的背面起算的深度X₁。