[发明专利]图像传感器模组及其形成方法在审
申请号: | 201880002617.3 | 申请日: | 2018-09-21 |
公开(公告)号: | CN111295759A | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 刘孟彬 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 高静;李丽 |
地址: | 中国(上海)自由贸易试验*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 模组 及其 形成 方法 | ||
本发明实施例提供一种图像传感器模组及形成方法。在此形成方法中,在第一载体晶圆上贴附第一晶圆的第一表面;所述第一晶圆具有多个第一芯片;在第一晶圆的第二表面上形成永久键合层;其永久键合层包括至少图形化键合层或透明键合层;使第二芯片通过中间的永久键合层分别与第一晶圆的第一芯片键合。第一芯片是滤光片芯片和图像传感器芯片中的一种。第二芯片是滤光片芯片和图像传感器芯片中的另一种。图像传感器具有面向滤光片芯片的感光区。本发明实施例有利于使封装结构具有芯片的尺寸,且有利于避免图像传感器的感光区受到污染,提高封装结构的良率。
技术领域
本发明实施例涉及图像传感器制造领域,具体是涉及一种图像传感器模组及其形成方法。
背景技术
摄像机模组广泛用于各种移动终端,例如,移动电话、个人数码助手、及笔记本电脑。传统摄像机模组的形成一般是首先使互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器芯片贴附在印刷集成电路版(PCB)上,然后用一支架来安装红外线滤光片,经过点胶工艺使支架和红外线滤光片同图像传感器键合。最后使马达和镜片安装在支架上。
然而在封装期间,这样的制造过程使PCB上的图像传感器直接暴露在周围环境中,其感光区很容易被污染,从而造成图像缺陷。且在图像传感器同PCB贴附后,支架和其支架上的红外线滤光片可能会同图像传感器键合,从而对支架的结构设计和尺寸造成进一步限制。
本发明公开的图像传感器模组及形成方法提供了解决上述问题及其它有关问题的方法。
发明内容
本发明通过各种实施例提供一种图像传感器模组的形成方法。在此方法中,使第一晶圆的第一表面贴附在第一载体晶圆上;第一晶圆具有多个第一芯片;在第一晶圆的第二表面上形成永久键合层;永久键合层包括至少图形化键合层或透明键合层;使第二芯片通过中间的永久键合层同第一晶圆上的芯片键合。第一芯片是图像传感器芯片和滤光片芯片中的一种。第二芯片是图像传感器芯片和滤光片芯片中的另一种。并且,图像传感器具有面向滤光片芯片的感光区。
本发明还通过各种实施例提供一种图像传感器模组。
本领域技术人员可以通过本专利中具体实施方式,权利要求书和示意图,来理解本发明中各种实施例。
附图说明
以下附图仅为解释各公开实施例的示例图,而不用来限制本发明的权利范围。
图1-11示出了本发明一种示范图像传感器模组的形成方法依次实施所获得结构的剖面示意图。
图12示出了本发明图像传感器模组的一示范形成方法的流程图。
图13-17示出了本发明又一种示范图像传感器模组的形成方法依次实施所获得结构的剖面示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的,特征和优点能够明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。不同图中相同的参考编号尽可能所指相同或类似部件。
本发明提供图像传感器模组及其形成方法。例如,第一晶圆具有多个第一芯片,并且多个第一芯片的间距已预定。第一晶圆具有第一表面。可使其第一表面(如背面)贴附于一个载体晶圆。在第一晶圆的第二表面(例如,第二面)上可以形成永久键合层。永久键合层可以包括至少图形化键合层或透明键合层。可以使第二芯片通过中间的永久键合层同第一晶圆中的第一芯片键合。
在本发明的各实施例中,第一芯片是图像传感器芯片和滤光片芯片中的一种。第二芯片是图像传感器芯片和滤光片芯片中的另一种。图像传感器具有面向滤光片芯片的感光区。
为了便于说明,图像传感器晶圆/芯片作为第一晶圆/芯片的具体例子;滤光片晶圆/芯片作为第二晶圆/芯片的具体例子。根据本发明的各实施例,图像传感器模组及形成方法中,第一芯片和第二芯片的作用和配置可以互换。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司,未经中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880002617.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:钛酸铜钙薄膜的制备方法和钛酸铜钙薄膜
- 下一篇:切削刀具和切削工具
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的