[发明专利]用于接合界面处的接合对准标记的方法、器件和结构有效
| 申请号： | 201880002644.0 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109643700B | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 严孟;王家文;胡思平;胡顺 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 钟胜光 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接合 半导体结构 对准标记 接合界面 器件层 触点 接合层 衬底 对准 半导体器件 制作 | ||
1.一种半导体器件，包括：
第一半导体结构，其包括衬底、设置在所述衬底上的第一器件层以及设置在所述第一器件层上方并且包括第一接合触点和第一接合对准标记的第一接合层；
第二半导体结构，其包括第二器件层以及设置在所述第二器件层下方并且包括第二接合触点和第二接合对准标记的第二接合层；以及
处于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间的接合界面，
其中，使所述第一接合对准标记与所述第二接合对准标记在所述接合界面处对准，以使得所述第一接合触点与所述第二接合触点在所述接合界面处对准。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接合对准标记和所述第二接合对准标记中的每者的尺寸不大于大约15μm。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一接合对准标记和所述第二接合对准标记中的每者的尺寸为大约10μm。
4.根据权利要求1-3中的任何一项所述的半导体器件，其中，所述第一接合对准标记和所述第二接合对准标记中的至少一个包括多个重复图案。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述重复图案中的每者的尺寸不大于大约1μm。
6.根据权利要求4或5所述的半导体器件，其中，所述重复图案中的每者包括金属区和电介质区。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述金属区的尺寸不大于所述重复图案的尺寸的大约25％。
8.根据权利要求1-7中的任何一项所述的方法，其中，
所述第一半导体结构还包括处于所述第一器件层和所述第一接合层之间的第一互连层；
所述第二半导体结构还包括处于所述第二器件层和所述第二接合层之间的第二互连层；并且
所述第一互连层和所述第二互连层中的至少一个不包括用于使所述第一接合触点和所述第二接合触点对准的接合对准标记。
9.根据权利要求1-8中的任何一项所述的半导体器件，其中，所述第一接合层还包括第一电介质，并且所述第二接合层还包括在所述接合界面处与所述第一电介质接触的第二电介质。
10.根据权利要求1-9中的任何一项所述的半导体器件，其中，所述第一接合对准标记和所述第二接合对准标记中的至少一个是光刻套刻标记。
11.根据权利要求1-10中的任何一项所述的半导体器件，其中，所述第一器件层和所述第二器件层之一包括NAND存储器串，并且所述第一器件层和所述第二器件层中的另一个包括外围器件。
12.一种接合结构，包括：
包括第一接合触点和第一接合对准标记的第一接合层；
包括第二接合触点和第二接合对准标记的第二接合层；以及
处于所述第一接合层和所述第二接合层之间的接合界面，
其中，使所述第一接合对准标记与所述第二接合对准标记在所述接合界面处对准，以使得所述第一接合触点与所述第二接合触点在所述接合界面处对准；以及
所述第一接合对准标记和所述第二接合对准标记中的每者的尺寸不大于大约15μm。
13.根据权利要求12所述的接合结构，其中，所述第一接合对准标记和所述第二接合对准标记中的每者的尺寸为大约10μm。
14.根据权利要求12或13所述的接合结构，其中，所述第一接合对准标记和所述第二接合对准标记中的至少一个包括多个重复图案。
15.根据权利要求14所述的接合结构，其中，所述重复图案中的每者的尺寸不大于大约1μm。
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