[发明专利]石墨烯导电结构及其制备方法、自修复方法

权利要求书

1.一种具有自修复功能的石墨烯导电结构的自修复方法，包括：

将导电性劣化的所述具有自修复功能的石墨烯导电结构放入有水的环境中，实现所述具有自修复功能的石墨烯导电结构导电性能的恢复，其中，所述具有自修复功能的石墨烯导电结构包括石墨烯纳米片和纳米纤维素，所述石墨烯纳米片的片层交错，整个所述具有自修复功能的石墨烯导电结构形成连续的片层，中间没有断口，且所述纳米纤维素仅吸附在所述石墨烯纳米片的一侧的表面上。

2.根据权利要求1所述的自修复方法，其中，所述有水的环境是湿度为40％～80％的环境。

3.根据权利要求2所述的自修复方法，其中，将所述导电性劣化的所述具有自修复功能的石墨烯导电结构放入有水的环境中少于1分钟。

4.根据权利要求1所述的自修复方法，其中，所述石墨烯纳米片和所述纳米纤维素均匀混合。

5.根据权利要求1所述的自修复方法，其中，所述石墨烯纳米片和所述纳米纤维素的质量比为1:1。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的自修复方法，其中，所述石墨烯纳米片的厚度为2nm-3nm，宽度为20nm-5μm。

7.根据权利要求1～5中任一项所述的自修复方法，其中，所述纳米纤维素为线状结构，所述线状结构的直径为5nm-22nm，长度为2μm-50μm。

8.根据权利要求7所述的自修复方法，其中，所述纳米纤维素是D-吡喃葡萄糖环为单元，相互用β-1，4-糖苷键以C1椅式构象连接的线形高分子形成的纳米结构。

9.根据权利要求1～5中任一项所述的自修复方法，其中，所述具有自修复功能的石墨烯导电结构的厚度为500nm-50μm。

10.根据权利要求1～5中任一项所述的自修复方法，其中，所述具有自修复功能的石墨烯导电结构的自修复还包括形貌的自修复。

11.根据权利要求1～5中任一项所述的自修复方法，其中，所述具有自修复功能的石墨烯导电结构的线密度为0.7-1.5tex，拉伸强度为170-450MPa，断裂伸长率为3-12％，导电率为320-850S/m。