[发明专利]薄膜的形成方法

权利要求书

1.一种薄膜的形成方法，包含第一工序，在所述第一工序中，将成膜对象的温度设为330℃以上500℃以下，并且从第一状态变成第二状态，所述第一状态是将包含铝和碳的成膜材料以及所述成膜材料的载流气体供给至所述成膜对象，而使所述成膜材料附着于所述成膜对象；所述第二状态是从所述第一状态中将供给所述成膜材料除外，

所述成膜材料是从由Al(C_xH_2x+1)₃、Al(C_xH_2x+1)₂H及Al(C_xH_2x+1)₂Cl构成的组中选择的任一者，各通式中的X为1以上的整数；

还包括第二工序，在所述第二工序中从第三状态变成第四状态，所述第三状态是将通过激发含氢的还原气体所产生的含氢的活性种和所述还原气体的载流气体供给至所述成膜对象，使所述成膜材料还原；所述第四状态是从所述第三状态将供给所述还原气体除外，

所述薄膜的形成方法通过包含交替重复所述第一工序和所述第二工序的状态，从而在所述成膜对象的表面形成铝原子的含量在20原子％以上的碳化铝膜。

2.如权利要求1所述的薄膜的形成方法，其中所述成膜材料为从由三甲基铝以及三乙基铝构成的组中选择的任一者。

3.如权利要求1或2所述的薄膜的形成方法，其中在所述碳化铝膜的形成方法中，将配置有所述成膜对象的真空槽内的压力设为50Pa以上1000Pa以下。

4.如权利要求1或2所述的薄膜的形成方法，其中所述成膜对象的所述表面为凹凸面。

5.如权利要求1或2所述的薄膜的形成方法，其中在所述第一工序之前包含形成工序，在所述形成工序中形成具有导电性的所述表面作为所述成膜对象的所述表面。

6.如权利要求1或2所述的薄膜的形成方法，其中，

所述成膜材料为第一成膜材料；

还包含第三工序，在所述第三工序中，将所述成膜对象的温度设为200℃以上，并且从第五状态变成第六状态；所述第五状态是将包含铝的第二成膜材料和所述第二成膜材料的载流气体供给至所述成膜对象，从而使所述第二成膜材料附着于所述成膜对象；所述第六状态是从所述第五状态将供给所述第二成膜材料除外；

所述第二成膜材料是从由1-甲基吡咯烷铝烷、三甲胺氢化硼铝烷及异丙氧化二甲基铝构成的组中选择的任一者。

7.如权利要求6所述的薄膜的形成方法，其中包含重复所述第三工序的状态。

8.如权利要求1或2所述的薄膜的形成方法，其中，

所述成膜材料为第一成膜材料；

所述第一状态是还将包含铝的第二成膜材料供给至所述成膜对象而使所述第二成膜材料附着于所述成膜对象的状态；

所述第二状态是从所述第一状态将供给所述第一成膜材料及所述第二成膜材料除外的状态；

所述第二成膜材料是从由1-甲基吡咯烷铝烷、三甲胺氢化硼铝烷及异丙氧化二甲基铝构成的组中选择的任一者。

9.如权利要求1所述的薄膜的形成方法，其中所述还原气体为氢气、肼及有机肼之中的至少1者。

10.如权利要求1所述的薄膜的形成方法，其中在所述第三状态中，通过将所述还原气体和所述载流气体供给至经加热的所述成膜对象，或是将从所述还原气体和所述载流气体产生的等离子供给至所述成膜对象，从而将所述含氢的活性种供给至所述成膜对象。