[发明专利]蚀刻停止层及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201880003102.5 | 申请日： | 2018-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN109643651B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 中村真也;逸见充则;藤井佳词;池田佳广 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/306;H10B41/27;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 停止 半导体器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种蚀刻停止层，其特征在于：
当通过干蚀刻在一方向上蚀刻被蚀刻层时，在被蚀刻层的蚀刻推进方向前侧层压所述蚀刻停止层；
所述蚀刻停止层由含有20～50重量％的硼或钇的氧化铝膜构成；
所述被蚀刻层由使用氧气进行干蚀刻的、层压了32层以上的多晶硅层和含硅的绝缘层的层压膜构成。
2.一种半导体器件的制造方法，其特征在于：是具有权利要求1所述的蚀刻停止层和被蚀刻层的层压结构的半导体器件的制造方法，所述制造方法包括：
在干蚀刻所述被蚀刻层后，使用由氢氟酸构成的蚀刻液来湿蚀刻所述蚀刻停止层的工序，所述蚀刻停止层的湿蚀刻速度设置在的范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社爱发科，未经株式会社爱发科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880003102.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体晶片的研磨方法及半导体晶片
- 下一篇：用于填充间隙的方法和设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
