[发明专利]软钎焊材料有效
| 申请号： | 201880003396.1 | 申请日： | 2018-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN109641323B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 渡边裕彦;斋藤俊介;小平悦宏 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | B23K35/26 | 分类号： | B23K35/26;C22C13/02;H05K3/34 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钎焊 材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种软钎焊材料，其含有5.0质量％以上且8.0质量％以下的Sb、4.5质量％以上且5.0质量％以下的Ag、0.15质量％以上且0.3质量％以下的Ni，余量由Sn和不可避免的杂质组成。
2.根据权利要求1所述的软钎焊材料，其含有0.003质量％以上且0.01质量％以下的Ge。
3.根据权利要求1所述的软钎焊材料，其还含有0.003质量％以上且0.01质量％以下的P。
4.根据权利要求2所述的软钎焊材料，其还含有0.003质量％以上且0.01质量％以下的P。
5.根据权利要求1所述的软钎焊材料，其用于接合Ni或Cu或它们的合金、或者用于接合用Ni或Cu或它们的合金进行了镀覆的构件。
6.一种软钎焊接合部，其包含选自Ni或Cu或它们的合金、或者用Ni或Cu或它们的合金进行了镀覆的构件中的被接合体、以及使权利要求1所述的软钎焊材料熔融而得到的接合层。
7.一种半导体装置，其在半导体元件与基板电极之间、或在半导体元件与引线框之间、或在基板电极与散热板之间具备使权利要求1所述的软钎焊材料熔融而得到的接合层。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述半导体元件为SiC半导体元件。
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