[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，具有：

半导体层序列，其具有第一类型半导体层、第二类型半导体层和位于两者间设计用于产生辐射的有源层，其中

第一类型半导体层位于半导体层序列的正侧，

半导体层序列包含至少一个侧壁覆盖有绝缘层的凹处，凹处从半导体层序列的与正侧对置的背侧穿过有源层延伸到第一类型半导体层，

第一导电层和第二导电层都位于半导体层序列的背侧，第二导电层与第二类型半导体层的背侧直接接触，

与第一导电层连接的第一电极，借助第一导电层穿过凹处来电连接第一类型半导体层，

与第二导电层连接的第二电极，

第一导电层与第二导电层借助凹处延伸的绝缘层来彼此电绝缘，用于支撑和散热的基板；

其特征在于：第一电极和第二电极朝向正侧，第一导电层背侧与基板正侧直接连接，第一导电层正侧与第一类型半导体层的背侧接触面积大于第一类型半导体层面积的1.5%，第一导电层至少裸露出正侧一部分用于设置第一电极，第二导电层至少裸露出正侧一部分用于设置第二电极，从凹处延伸的绝缘层覆盖在第二导电层的背侧。

2.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：第一导电层与第一类型半导体层的背侧接触面积为第一类型半导体层面积的大于等于2.3%到小于等于2.8%、大于2.8%到小于4%或者大于等于4%到小于等于6%。

3.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：第一导电层和/或第二导电层包括金属材料。

4.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：凹处的开口直径大于等于15μm到小于32μm，或者大于等于32μm至小于等于40μm。

5.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：当凹处开口直径大于等于34μm到小于等于36μm时，凹处的数量为20~25个。

6.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：第一类型半导体层的厚度不小于2μm，凹处在第一类型半导体层内的深度不小于0.6μm。

7.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：第一类型半导体层厚度为2μm~3μm。

8.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：绝缘层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮化铝或者氧化铝。

9.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：第一导电层覆盖在基板的整个正侧。

10.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：第一导电层和/或第二导电层的材料为Ag、Au、Al、Cr、Ni、Pt、Sn、Ti、TiW或以上的任意组合。

11.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：第一导电层包括欧姆接触层、金属反射层、金属键合层或者以上各层任意组合。

12.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：第二导电层包括透明导电层、金属反射层、金属扩散阻挡层或者以上各层任意组合。

13.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：半导体层序列的高度大于等于5μm到小于等于7μm，或者大于7μm到小于等于8μm。

14.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：基板在100℃时的导热系数不小于150W/（m·k）。

15.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：基板材料为陶瓷、Si或者Cu。