[发明专利]具有高强度和高导电性的用于电气和电子部件及半导体的铜合金及其制备方法

权利要求书

1.一种用于电气和电子部件及半导体的铜合金，包括：

0.09至0.20重量％的铁(Fe)、0.05至0.09重量％的磷(P)、0.05至0.20重量％的锰(Mn)、剩余量的铜(Cu)和0.05重量％或更少的不可避免的杂质，所述不可避免的杂质包括选自由Si、Zn、Ca、Al、Ti、Be、Cr、Co、Ag和Zr组成的组中的至少一种；以及

(FeMn)₂P沉淀物，其中：

所述(FeMn)₂P沉淀物通过使用高分辨率透射电子显微镜(HR-TEM)或场发射透射电子显微镜(FE-TEM)以100000x或更大的放大倍率观察通过碳萃取复型方法制备的样品来测量，并且所述(FeMn)₂P沉淀物具有50nm或更小的平均颗粒尺寸和1.0×10¹⁰/cm²或更大的面积密度；

所述铜合金具有470Mpa或更大的拉伸强度、145Hv或更大的硬度、75％IACS或更大的电导率和400℃或更高的抗软化温度。

2.根据权利要求1所述的用于电气和电子部件及半导体的铜合金，其中，所述杂质具有0.01重量％或更低的含量。

3.根据权利要求1所述的用于电气和电子部件及半导体的铜合金，还包括0.0001至0.03重量％的Ni或Sn中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的用于电气和电子部件及半导体的铜合金，其中，所述铜合金具有20μm或更小的平均晶粒尺寸和5μm或更小的标准偏差，通过使用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)的晶体取向分析来测量晶粒尺寸。

5.根据权利要求1所述的用于电气和电子部件及半导体的铜合金，其中，所述铜合金被制备为片或板。

6.一种制备用于电气和电子部件及半导体的铜合金的方法，包括：

将根据权利要求1至3中的任一项所述的组成元素熔化以铸造铸锭；

在900-1000℃的温度下均质化热处理所获得的铸锭1-4小时，然后以85-95％的加工率进行热轧；

以87-98％的加工率冷轧由前一步骤获得的产品；

在430-520℃的温度下沉淀热处理由前一步骤获得的产品1-10小时；以及

以10-90％的压下率轧制由前一步骤获得的产品以生产成品。