[发明专利]使用酰基卤的原子层蚀刻有效
| 申请号： | 201880003680.9 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN109791888B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 加藤惟人;深江功也;高桥至直 | 申请（专利权）人： | 关东电化工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 酰基卤 原子 蚀刻 | ||
1.一种原子层蚀刻方法，其包括如下工序：
(1)对蚀刻对象的表面进行氢化的工序；
(2)使下述通式Rf-COX所示的酰基卤暴露于氢化后的表面、使酰基卤吸附于蚀刻对象的表面的工序，
式Rf-COX中，Rf为H或F或包含C及F的取代基或包含C、H及F的取代基或-COX，各X独立地为F、Cl、Br及I中任意卤素原子；和
(3)对吸附有酰基卤的表面照射包含稀有气体的等离子体、并对吸附有酰基卤的表面进行蚀刻的工序，
蚀刻对象为SiO2、SiN、SiON、SiCN、SiOCN及SiOC中的任意者。
2.根据权利要求1所述的原子层蚀刻方法，其特征在于，所述工序(1)将包含氢原子的气体等离子体化、利用所产生的氢自由基及氢离子而对蚀刻对象的表面进行氢化。
3.根据权利要求1或2所述的原子层蚀刻方法，其中，所述工序(1)中使用的包含氢原子的气体为H2、CH4及SiH4中的任意者。
4.根据权利要求1或2所述的原子层蚀刻方法，其中，所述工序(2)中使用的Rf-COX由CaHbFcCOX表示，满足0≤a≤6、0≤b≤12、0≤c≤13、2a-3≤b+c、1≤b+c，X为F、Cl、Br及I中的任意者。
5.根据权利要求1或2所述的原子层蚀刻方法，其中，所述工序(2)中使用的Rf-COX为COF2、COFH、COFCl、COFBr、COFI、CF3COF、CHF2COF、CF3COCl、CHF2COCl、(COF)2及(COF)COCl中的任意者。
6.根据权利要求1或2所述的原子层蚀刻方法，其中，所述工序(3)中使用的稀有气体为He、Ar、Ne、Kr及Xe中的任意一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于关东电化工业株式会社，未经关东电化工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880003680.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
