[发明专利]使用酰基卤的原子层蚀刻有效

专利信息
申请号: 201880003680.9 申请日: 2018-09-14
公开(公告)号: CN109791888B 公开(公告)日: 2023-02-28
发明(设计)人: 加藤惟人;深江功也;高桥至直 申请(专利权)人: 关东电化工业株式会社
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 使用 酰基卤 原子 蚀刻
【权利要求书】:

1.一种原子层蚀刻方法,其包括如下工序:

(1)对蚀刻对象的表面进行氢化的工序;

(2)使下述通式Rf-COX所示的酰基卤暴露于氢化后的表面、使酰基卤吸附于蚀刻对象的表面的工序,

式Rf-COX中,Rf为H或F或包含C及F的取代基或包含C、H及F的取代基或-COX,各X独立地为F、Cl、Br及I中任意卤素原子;和

(3)对吸附有酰基卤的表面照射包含稀有气体的等离子体、并对吸附有酰基卤的表面进行蚀刻的工序,

蚀刻对象为SiO2、SiN、SiON、SiCN、SiOCN及SiOC中的任意者。

2.根据权利要求1所述的原子层蚀刻方法,其特征在于,所述工序(1)将包含氢原子的气体等离子体化、利用所产生的氢自由基及氢离子而对蚀刻对象的表面进行氢化。

3.根据权利要求1或2所述的原子层蚀刻方法,其中,所述工序(1)中使用的包含氢原子的气体为H2、CH4及SiH4中的任意者。

4.根据权利要求1或2所述的原子层蚀刻方法,其中,所述工序(2)中使用的Rf-COX由CaHbFcCOX表示,满足0≤a≤6、0≤b≤12、0≤c≤13、2a-3≤b+c、1≤b+c,X为F、Cl、Br及I中的任意者。

5.根据权利要求1或2所述的原子层蚀刻方法,其中,所述工序(2)中使用的Rf-COX为COF2、COFH、COFCl、COFBr、COFI、CF3COF、CHF2COF、CF3COCl、CHF2COCl、(COF)2及(COF)COCl中的任意者。

6.根据权利要求1或2所述的原子层蚀刻方法,其中,所述工序(3)中使用的稀有气体为He、Ar、Ne、Kr及Xe中的任意一种。

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