[发明专利]电流注入式有机半导体激光二极管、其制造方法及程序

权利要求书

1.一种电流注入式有机半导体激光二极管，其包括：

一对电极、光学谐振器结构及一个以上的包含由有机半导体组成的光放大层的有机层，所述光学谐振器结构具有凹槽被完全去除的光栅，或者具有在凹槽中露出电极的光栅，所述电流注入式有机半导体激光二极管在电流注入期间，激子密度的分布与谐振光模式的电场强度分布之间存在足够的重叠以发射激光。

2.根据权利要求1所述的电流注入式有机半导体激光二极管，其中，

光学谐振器结构具有分布反馈(DFB)结构。

3.根据权利要求2所述的电流注入式有机半导体激光二极管，其中，

光学谐振器结构由被一阶布拉格散射区域包围的二阶布拉格散射区域构成。

4.根据权利要求2所述的电流注入式有机半导体激光二极管，其中，

二阶布拉格散射区域和一阶布拉格散射区域在光学谐振器结构中交替形成。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电流注入式有机半导体激光二极管，其中，

所述一个以上的有机层的数量为两个以下。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的电流注入式有机半导体激光二极管，其中，

所述光放大层的厚度相对于所述一个以上的有机层的总厚度大于50％。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的电流注入式有机半导体激光二极管，其中，

包含在所述光放大层中的所述有机半导体为非晶体。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的电流注入式有机半导体激光二极管，其中，

包含在所述光放大层中的所述有机半导体的分子量小于1000。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的电流注入式有机半导体激光二极管，其中，

包含在所述光放大层中的所述有机半导体为非聚合物。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的电流注入式有机半导体激光二极管，其中，

包含在所述光放大层中的所述有机半导体具有至少一个二苯乙烯单元。

11.根据权利要求1至4中任一项所述的电流注入式有机半导体激光二极管，其中，

包含在所述光放大层中的所述有机半导体具有至少一个咔唑单元。

12.根据权利要求1至4中任一项所述的电流注入式有机半导体激光二极管，其中，

包含在所述光放大层中的所述有机半导体为4,4'-双[(N-咔唑)苯乙烯基]联苯(BSBCz)。

13.根据权利要求1至4中的任一项所述的电流注入式有机半导体激光二极管，其具有所述有机层中的一个层作为电子注入层。

14.根据权利要求13所述的电流注入式有机半导体激光二极管，其中,

所述电子注入层含有Cs。

15.根据权利要求1至4中任一项所述的电流注入式有机半导体激光二极管，其具有空穴注入层作为无机层。

16.根据权利要求15所述的电流注入式有机半导体激光二极管，其中,

所述空穴注入层含有氧化钼。