[发明专利]自旋轨道转矩型磁化旋转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件及磁存储器有效
| 申请号： | 201880003798.1 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN110392931B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木智生 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/82 | 分类号： | H01L29/82;H01L21/8239;H01L27/105;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 自旋 轨道 转矩 磁化 旋转 元件 磁阻 效应 磁存储器 | ||
1.一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其中，
具备：
沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线、和
层叠于所述自旋轨道转矩配线的一面的第一铁磁性层，
所述自旋轨道转矩配线从靠近所述第一铁磁性层侧起依次具有第一配线和第二配线，
所述第一配线在层叠方向上重叠于所述第二配线的一面，
所述第一配线为金属，所述第二配线为半导体，
第一配线的电阻值从-40℃向100℃增加，
第二配线的电阻值从-40℃向100℃减小，
所述第一配线与所述第二配线相比，在-40℃～100℃的温度区域中的电阻率的温度依存性大。
2.根据权利要求1所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其中，
所述第一配线含有最外壳具有d电子或f电子的原子序号为39以上的原子序号大的非磁性金属。
3.一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其中，
具备：
沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线、和
层叠于所述自旋轨道转矩配线的一面的第一铁磁性层，
所述自旋轨道转矩配线从靠近所述第一铁磁性层侧起依次具有第一配线和第二配线，
所述第一配线为半导体，所述第二配线为拓扑绝缘体，
所述第一配线与所述第二配线相比，在-40℃～100℃的温度区域中的电阻率的温度依存性大。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其中，
所述第一配线的厚度为构成所述第一配线的元素的自旋扩散长度以下。
5.根据权利要求1或3所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其中，
所述第一配线的电阻值和所述第二配线的电阻值以-40℃～100℃的温度区域内的任一温度为交点而反转。
6.一种自旋轨道转矩型磁阻效应元件，其中，
具备：
权利要求1～5中任一项所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件、
与所述第一铁磁性层相对的第二铁磁性层、和
位于所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层之间的非磁性层。
7.一种磁存储器，其具备多个权利要求6所述的自旋轨道转矩型磁阻效应元件。
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